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晶片
鎖定
- 中文名
- 晶片
- 外文名
- chip
- 作 用
- LED主要依靠晶片來發光
- 組 成
- 砷 鋁 鎵 銦 磷 氮 鍶
晶片基礎知識
晶片晶片的作用
晶片為LED的主要原材料，LED主要依靠晶片來發光。
晶片晶片的組成
主要有砷（AS）、鋁（AL）、鎵（Ga）、銦（IN）、磷（P）、氮（N）、鍶（Sr）這幾種元素中的若干種組成。
晶片晶片的分類
1.按發光亮度分：
A.一般亮度：R、H、G、Y、E等
B.高亮度：VG、VY、SR等
C.超高亮度：UG、UY、UR、UYS、URF、UE等
D.不可見光（紅外線）：IR、SIR、VIR、HIR
E.紅外線接收管：PT
F.光電管：PD
2.按組成元素分：
A.二元晶片（磷、鎵）：H、G等
B.三元晶片（磷、鎵、砷）：SR、HR、UR等
C.四元晶片（磷、鋁、鎵、銦）：SRF、HRF、URF、VY、HY、UY、UYS、UE、HE、UG等
晶片晶片特性表（詳見下表介紹）
晶片型號 發光顏色 組成元素 波長（nm） 晶片型號 發光顏色 組成元素 波長（nm）
SBI 藍色 lnGaN/sic 430 HY 超亮黃色 AlGalnP 595
SBK 較亮藍色 lnGaN/sic 468 SE 高亮桔色 GaAsP/GaP610
DBK 較亮藍色 GaunN/Gan470 HE 超亮桔色 AlGalnP 620
SGL 青綠色 lnGaN/sic 502 UE 最亮桔色 AlGalnP 620
DGL 較亮青綠色 LnGaN/GaN505 URF 最亮紅色 AlGalnP 630
DGM 較亮青綠色 lnGaN 523 E 桔色 GaAsP/GaP635
PG 純綠 GaP 555 R 紅色 GAaAsP 655
SG 標準綠 GaP 560 SR 較亮紅色 GaA/AS 660
G 綠色 GaP 565 HR 超亮紅色 GaAlAs 660
VG 較亮綠色 GaP 565 UR 最亮紅色 GaAlAs 660
UG 最亮綠色 AIGalnP 574 H 高紅 GaP 697
Y 黃色 GaAsP/GaP585 HIR 紅外線 GaAlAs 850
VY 較亮黃色 GaAsP/GaP585 SIR 紅外線 GaAlAs 880
UYS 最亮黃色 AlGalnP 587 VIR 紅外線 GaAlAs 940
UY 最亮黃色 AlGalnP 595 IR 紅外線 GaAs 940
晶片注意事項及其它
1.晶片廠商名稱：A.光磊（ED） B.國聯（FPD） C.鼎元（TK） D.華上（AOC） E.漢光（HL） F.AXT G.廣稼
2.晶片在生產使用過程中需注意靜電防護。
晶片晶片結構
晶片晶片參數
晶片晶片外觀
晶片形狀為正方形或長方形，上表面有單電極或雙電極，紅光與黃光晶片多數為單電極晶片，且上表面有正或負極。
藍/綠晶片多數為雙電極，且一般圓形電極為正極。具體電極情況請參照晶片規格書。
晶片晶片尺寸
晶片按尺寸分，較常用的有以下規格：
（1mil=25.4µm）
小尺寸
7*9mil
9*11mil
12*12mil
10*18mil
14*14mil
15*15mil
10*23min
大尺寸
24*24mil
28*28mil
40*40mil
45*45mil
晶片晶片主要光電參數
晶片晶片評估
1、評估流程：
來料檢驗==>安排試產==>固晶實驗==>焊線實驗==>老化實驗==>不良分析==>OK/NG
2、檢驗項目包括：
2.1.來料資料有無規格書（沒有規格書不建議盲目的去實驗）。
2.2.來料的芯片參數（亮度、電壓、波長等）是否符合規格要求，外觀（電極位置）是否與規格書上相同。
2.3.尺寸測量：需要採用精確的高倍顯微鏡進行測量，實際尺寸是否符合要求；包括芯片的長、寬、高、電極大小等。
2.4.電性檢測：VF、IV、WL、IR、極性等實際測試是否符合要求。
此項有很多廠商沒有條件測試，建議在試做過程中去做成成品測試（但極性最好先進行確認）；
3、試產
外觀檢查OK後就開始進行排單實驗其他性能是否適合批量投產，排單時準備好相關資料與試產資料。
4、固晶評估項目：
a.PR識別的能力
b.氣壓壓力
c.頂針高度
d.吸嘴大小
e.焊頭壓力
f.芯片膜的粘性
g.產能如何等
h.推力（推後現象）
若有問題均要有記錄。
焊線評估項目：
a.焊線壓力
b.功率
c.時間
d.焊線熱板温度
e.PR識別能力
f.弧高
g.金球大小
h.產能
i.拉力大小（斷點位置）
若有問題均要有記錄。
5、老化實驗
a.電性測試（包括ESD）；
b.按信賴性實驗標準取材料準備分別做以下實驗：
實驗前產品需要編號測試VF/IR/IV/WL性能，產品要與數據對應）。
實驗一：常温點亮保存（條件Ta=25±5℃,RH=55±20%RH，20mA通電1000hrs）
實驗二：高温高濕點亮（條件Ta=85+5、-3℃,RH=85%+5、-10%，20mA通電1000hrs）
實驗三：冷熱衝擊[條件Ta=85℃（30分鐘）～Ta=25℃（30分鐘）～Ta=-40℃（30分鐘）～Ta=85℃（30分鐘）]
其他實驗可以根據自己的需要進行選擇；
實驗過程中每100/168小時測試一次；
- 參考資料
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- 1. LED晶片簡介 ．百度文庫[引用日期2015-03-02]
