晶化温度

通常把恆速升温熱分析曲線上晶化放熱峯的起始温度或峯值温度定義為晶化温度。

可用電阻法或其它方法測定晶化温度。如果給予足夠長的時間，有初級晶化和多晶形晶化二種形式，故有些物質可出現兩個或多個放熱峯。從晶化C曲線上看，加熱速度越快，開始晶化的温度就越高。除加熱速度外，晶化温度還與諸多因素有關，如：非晶形成的熱歷史，製備方法，氣體含量等 ^[1]  。

在一定條件下原子會發生重排，以減小其化學位，向穩定的晶體轉化，該過程叫晶化。

多數非晶材料的晶化温度在0.4~ 0.6Tm。當材料處於非晶態時，X射線衍射峯為典型的漫散峯。該材料具有良好的強度、韌性及其它優異的性能。晶化後，非晶材料的韌性消失，許多性能變壞。通過控制晶化揭簇和時間，可獲得不同晶粒尺寸的納米晶合金，該方法亦稱為非晶晶化方法。這種新型材料具有許多晶態和非晶晶態材料無法比擬的優點，如高膨脹係數及高比熱容等 ^[2]  。