晶體管輸出

晶體三極管輸出特性曲線（共發射極）

晶體三極管是由形成二個PN結的三部分半導體組成的，其組成形式有PNP型及NPN型。我國生產的鍺三極管多為PNP型，硅三極管多為NPN型，它們的結構原理是相同的。

三極管有三個區、三個電極。其中基區（三極管中間的一層薄半導體）引出基極b；兩側有發射區引出發射極e及集電區引出集電極c。發射區和基區之間的PN結叫發射結，集電區和基區之間的PN結叫集電結。在電路符號上PNP型管發射極箭頭向裏，NPN型管發射極箭頭向外，表示電流方向。

基極電流Ib一定時，晶體三極管的Ic和Uce之間的關係曲線叫做輸出特性曲線。曲線以Ic（mA）為縱座標，以Uce（V）為橫座標給出，圖上的點表示了晶體管工作時Ib、Uce、Ic三者的關係，即決定了晶體三極管的工作狀態。從曲線上可以看出，晶體管的工作狀態可分成三個區域。飽和區：Uce很小，Ic很大。集電極和發射極飽和導通，好像被短路了一樣。這時的Uce稱作飽和壓降。此時晶體管的發射結、集電結都處於正向偏置。放大區：在此區域中Ib的很小變化就可引起Ic的較大變化，晶體管工作在這一區域才有放大作用。在此區域Ic幾乎不受Uce控制，曲線也較為平直，此時管子的發射結處於正向偏置，集電結處於反向偏置。截止區：Ib=0，Ic極小，集電極和發射極好像斷路（稱截止），管子的發射結、集電結都處於反向偏置。