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普通晶閘管
鎖定
普通晶閘管是一種半可控大功率半導體器件，出現於70年代。pnpn四層半導體結構，有三個極：陽極、陰極和門極。 晶閘管具有硅整流器件的特性，能在高電壓、大電流條件下工作，它的出現使半導體器件由弱電領域擴展到強電領域。
- 中文名
- 普通晶閘管
- 用 途
- 高電壓、大電流條件下工作
普通晶閘管基本工作原理
普通晶閘管t在工作過程中，它的陽極a和陰極k與電源和負載連接，組成普通晶閘管的主電路，普通晶閘管的門極g和陰極k與控制普通晶閘管的裝置連接，組成普通晶閘管的控制電路。
普通晶閘管的工作條件：
1. 普通晶閘管承受反向陽極電壓時，不管門極承受何種電壓，普通晶閘管都處於關斷狀態。
2. 普通晶閘管承受正向陽極電壓時，僅在門極承受正向電壓的情況下普通晶閘管才導通。
3. 普通晶閘管在導通情況下，只要有一定的正向陽極電壓，不論門極電壓如何，普通晶閘管保持導通，即普通晶閘管導通後，門極失去作用。
4. 普通晶閘管在導通情況下，當主迴路電壓（或電流）減小到接近於零時，普通晶閘管關斷。
普通晶閘管主要性能指標
1. udrm：斷態重複峯值電壓
晶閘管耐壓值，普通晶閘管udrm 為 100v---3000v 。
2. urrm：反向重複峯值電壓 控制極斷路時，可以重複作用在晶閘管上的反向重複電壓。普通晶閘管一般取urrm為100v--3000v
3. itav：通態平均電流
環境温度為40℃時，在電阻性負載、單相工頻正弦半波、導電角不小於170°的電路中，晶閘管允許的最大通態平均電流。普通晶閘管 itav 為1a---1000a。
4. utav ：通態平均電壓
管壓降。在規定的條件下，通過正弦半波平均電流時，晶閘管陽極和陰極間的電壓平均值。一般為1v左右。
5. ih：最小維持電流
在室温下，控制極開路、晶閘管被觸發導通後，維持導通狀態所必須的最小電流。一般為幾十到一百多毫安。
6. ug、ig：控制極觸發電壓和電流
在室温下， 陽極電壓為直流 6v 時，使晶閘管完全導通所必須的最小控制極直流電壓、電流 。一般ug為 1~5v，ig 為幾十到幾百毫安。
普通晶閘管保護措施
普通晶閘管的主要缺點：過流、過壓能力很差。
普通晶閘管的熱容量很小：一旦過流，温度急劇上升，器件被燒壞。
普通晶閘管承受過電壓的能力極差：電壓超過其反向擊穿電壓時，即使時間極短，也容易損壞。正向電壓超過轉折電壓時，會產生誤導通，導通後的電流較大，使器件受損。
一、過流保護
快速熔斷器：電路中加快速熔斷器
過流繼電器：在輸出端串接直流過電流繼電器 過流截止電路：利用電流反饋減小普通晶閘管的 導通角或停止觸發，從而切斷過流電路
二、過壓保護
阻容吸收：利用電容吸收過壓。即將過電壓的能量變成電場能量儲存到電容中，然後由電阻消耗掉。
硒整流堆：硒堆為非線性元件，過壓後迅速擊穿，其電阻減小，抑制過壓衝擊。高電壓過後，硒堆可恢復到擊穿前的狀態。
