整流管

晶體二極管為一個由p型半導體和n型半導體形成的p-n結，在其界面處兩側形成空間電荷層，並建有自建電場。當不存在外加電壓時，由於p-n 結兩邊載流子濃度差引起的擴散電流和自建電場引起的漂移電流相等而處於電平衡狀態。當外界有正向電壓偏置時，外界電場和自建電場的互相抑消作用使載流子的擴散電流增加引起了正向電流。當外界有反向電壓偏置時，外界電場和自建電場進一步加強，形成在一定反向電壓範圍內與反向偏置電壓值無關的反向飽和電流。當外加的反向電壓高到一定程度時，p-n結空間電荷層中的電場強度達到臨界值產生載流子的倍增過程，產生大量電子空穴對，產生了數值很大的反向擊穿電流，稱為二極管的擊穿現象。 ^[1] 

整流管的工作電路圖

有大功率整流管和小功率整流管。耐壓和頻率有高有低。就原理而言，從輸入交流中得到輸出的直流是整流。以整流電流的大小（100mA）作為界線通常把輸出電流大於100mA的叫整流。面結型，工作頻率小於KHz，最高反向電壓從25伏至3000伏分A～X共22檔。分類如下：

①硅半導體整流二極管2CZ型；

②硅橋式整流器QL型；

③用於電視機高壓硅堆工作頻率近100KHz的2CLG型。

一、普通整流管：漏電流小、通態壓降較高(10～18V)、反向恢復時間較長(幾十微秒)、可獲得很高的電壓和電流定額。多用於牽引、充電、電鍍等對轉換速度要求不高的裝置中。

二、快恢復整流管：較快的反向恢復時間(幾百納秒至幾微秒)，但是它的通態壓降卻很高(16～40V)。它主要用於斬波、逆變等電路中充當旁路二極管或阻塞二極管。

三、肖特基整流管：兼有快的反向恢復時間(幾乎為零)和低的通態壓降(0.3～0.6V)的優點，不過其漏電流較大、耐壓能力低，常用於高頻低壓儀表和開關電源。 ^[2] 

1、防雷、過電壓保護措施不力。整流裝置末設置防雷、過電壓保護裝置，即使設置了防雷、過電壓保護裝置，但其工作不可靠，因雷擊或過電壓而損壞整流管。

2、運行條件惡劣。間接傳動的發電機組，因轉速之比的計算不正確或兩皮帶盤直徑之比不符合轉速之比的要求，使發電機長期處於高轉速下運行，而整流管也就長期處於較高的電壓下工作，促使整流管加速老化，並被過早地擊穿損壞。

3、運行管理欠佳。值班運行人員工作不負責任，對外界負荷的變化(特別是在深夜零點至第二天上午6點之間)不瞭解，或是當外界發生了甩負荷故障，運行人員沒有及時進行相應的操作處理，產生過電壓而將整流管擊穿損壞。

4、設備安裝或製造質量不過關。由於發電機組長期處於較大的振動之中運行，使整流管也處於這一振動的外力干擾之下；同時由於發電機組轉速時高時低，使整流管承受的工作電壓也隨之忽高忽低地變化，這樣便大大地加速了整流管的老化、損壞。

5、整流管規格型號不符。更換新整流管時錯將工作參數不符合要求的管子換上或者接線錯誤，造成整流管擊穿損壞。

6、整流管安全裕量偏小。整流管的過電壓、過電流安全裕量偏小，使整流管承受不起發電機勵磁迴路中發生的過電壓或過電流暫態過程峯值的襲擊而損壞。

首先將整流器中的整流二極管全部拆下，用萬用表的100×R或1000×R歐姆檔，測量整流二極管的兩根引出線(頭、尾對調各測一次)。若兩次測得的電阻值相差很大，例如電阻值大的高達幾拾萬Ω、而電阻值小的僅幾佰Ω甚至更小，説明該二極管是好的(發生了軟擊穿的二極管除外)。若兩次測得的電阻值幾乎相等，而且電阻值很小，説明該二極管已被擊穿損壞不能使用。 ^[1]