拖尾效應

IR 公司的開發重點在於減少IGBT 的拖尾效應，使其能快速關斷，其研製的超快速IGBT 可最大限度地減小拖尾效應，關斷時間不超過2000ns。採用特殊高能照射分層技術，關斷時間不超過100ns，拖尾更短 ^[1]  。

IR公司在IGBT基礎上推出兩款結合FRD（快速恢復二極管）的新型器件，IGBT/FRD有效結合，將轉換狀態的損耗減少20%，採用TO—247外型封裝，額定規格為1200V、25、50、75、100A，用於電機驅動和功率轉換，以IGBT及FRD為基礎的新技術便於器件並聯，在多芯片模塊中實現更均勻的温度，進步整體可靠性。