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拋光液
鎖定
- 中文名
- 拋光液
- 外文名
- Polishing liquid
- 類 別
- 水溶性拋光劑
- 性 能
- 去油污,防鏽,清洗和增光性能
- 作 用
- 性能穩定、無毒,對環境無污染
拋光液特性
拋光液光液使用方法
1、拋光劑投放量為(根據不同產品的大小,光飾機的大小和各公司的產品光亮度要求進行適當配置);
2、拋光時間:根據產品的狀態來定;
3、拋光完成後用清水清洗一次並且烘乾即可。
拋光液化學機械拋光
這兩個概念主要出半導體加工過程中,最初的半導體基片(襯底片)拋光沿用機械拋光、例如氧化鎂、氧化鋯拋光等,但是得到的晶片表面損傷是極其嚴重的。直到60年代末,一種新的拋光技術——化學機械拋光技術(CMP Chemical Mechanical Polishing )取代了舊的方法。CMP技術綜合了化學和機械拋光的優勢:單純的化學拋光,拋光速率較快,表面光潔度高,損傷低,平整性好,但表面平整度和平行度差,拋光後表面一致性差;單純的機械拋光表面一致性好,表面平整度高,但表面光潔度差,損傷層深。化學機械拋光可以獲得較為平整的表面,又可以得到較高的拋光速率,得到的平整度比其他方法高兩個數量級,是能夠實現全局平面化的有效方法。
拋光液製作步驟
依據機械加工原理、半導體材料工程學、物力化學多相反應多相催化理論、表面工程學、半導體化學基礎理論等,對硅單晶片化學機械拋光(CMP)機理、動力學控制過程和影響因素研究標明,化學機械拋光是一個複雜的多相反應,它存在着兩個動力學過程:
(1)拋光首先使吸附在拋光布上的拋光液中的氧化劑、催化劑等與襯底片表面的硅原子在表面進行氧化還原的動力學過程。這是化學反應的主體。
硅片的化學機械拋光過程是以化學反應為主的機械拋光過程,要獲得質量好的拋光片,必須使拋光過程中的化學腐蝕作用與機械磨削作用達到一種平衡。如果化學腐蝕作用大於機械拋光作用,則拋光片表面產生腐蝕坑、桔皮狀波紋。如果機械磨削作用大於化學腐蝕作用,則表面產生高損傷層。
[1]
拋光液分類
拋光液的主要產品可以按主要成分的不同分為以下幾大類:金剛石拋光液(多晶金剛石拋光液、單晶金剛石拋光液和納米金剛石拋光液)、氧化硅拋光液(即CMP拋光液)、氧化鈰拋光液、氧化鋁拋光液和碳化硅拋光液等幾類。
[2]
多晶金剛石拋光液
氧化硅拋光液
氧化硅拋光液(CMP拋光液)是以高純硅粉為原料,經特殊工藝生產的一種高純度低金屬離子型拋光產品。
氧化鈰拋光液
氧化鋁和碳化硅拋光液
主要用於高精密光學儀器、硬盤基板、磁頭、陶瓷、光纖連接器等方面的研磨和拋光。
拋光液產品類型
拋光液硅材料
拋光液
拋光液藍寶石
拋光液
拋光液砷化鎵
拋光液
拋光液鈮酸鋰
拋光液
鍺拋光液
集成電路多次銅佈線拋光液
集成電路阻擋層拋光液
拋光液參考配方
組分 | 投料量(g/L) |
硫酸 | 350~400 |
硝酸 | 30~50 |
雙氧水 | 30~100 |
鹽酸 | 40~80 |
乙酸 | 20~50 |
2-巰基噻唑啉 | 1~3 |
1~10 | |
5~10 | |
1~3 | |
水 | 餘量 |
拋光液應用
1. LED行業
LED芯片主要採用的襯底材料是藍寶石,在加工過程中需要對其進行減薄和拋光。藍寶石的硬度極高,普通磨料難以對其進行加工。在用金剛石研磨液對藍寶石襯底表面進行減薄和粗磨後,表面不可避免的有一些或大或小的劃痕。CMP拋光液利用“軟磨硬”的原理很好的實現了藍寶石表面的精密拋光。隨着LED行業的快速發展,聚晶金剛石研磨液及二氧化硅溶膠拋光液的需求也與日俱增。
2.半導體行業
CMP技術還廣泛的應用於集成電路(IC)和超大規模集成電路中(ULSI)對基體材料硅晶片的拋光。隨着半導體工業的急速發展,對拋光技術提出了新的要求,傳統的拋光技術(如:基於澱積技術的選擇澱積、濺射等)雖然也可以提供“光滑”的表面,但卻都是局部平面化技術,不能做到全局平面化,而化學機械拋光技術解決了這個問題,它是可以在整個硅圓晶片上全面平坦化的工藝技術。