抽出型層錯

在外延生長過程中，晶體沿着[111]方向生長時，原子層排列順序在某一區域出現返廠的情況，少了一層B，而變成按照ACABCABCABC的順序排列，成為抽出型層錯。 ^[1] 

層錯是面缺陷的一種，層錯可以通過多種物理過程形成。在晶體生長過程中，原子以不正常順序堆堆積時的能量和以正常順序堆積時的能量相差很小，偶然因素很容易造成錯誤堆積從面形成層錯。此外，過飽和點缺陷在密排面上的聚集，再通過馳像過程也可以形成層錯。點缺陷為空位時，形成的是抽出型層錯，如果點缺陷是填隙原子，則形成插入型層錯。抽出型層錯還可以在晶體型性形變過程中產生。

堆積層錯通常發生在有層狀結構的固體中，尤其是那些同時顯示多型性的材料。二維或平面缺陷以及CS面都是堆積層錯的實例。金屬中同時顯示多型性和堆積層錯的是鈷，它可以被製備成兩種主要的形式（多型體），其中金屬原子排列是立方密堆積（… ABCABC…）或六方密堆積（… ABABAB…）的。在這兩種多型體中，結構在兩個維度上即各層內是相同的，不同僅在於第三維上，即在各層的次序上。當正常的堆積次序由於存在“錯位”層而在不規則的間隔處中斷就發生了堆積無序，如可示意表示為… ABABAB BCA BABA…·。斜體字母表示完全錯的層（C）或在任何一側沒有正常相鄰層的那些層（A和B）。石是是現多型體（通常是碳原子的六方密堆積但有時是立方密堆積）或堆積無序（六方密堆積和立方密堆積的混合）的另一種單質。 ^[2] 

面缺陷為晶體內偏離週期性點陣結構的二維缺陷，主要有小角晶界、堆垛層錯、晶粒問界、相界等。

晶粒與晶粒之間的邊界稱為晶界。具有完整結構的晶體兩部分之間的取向有着小角度

的傾斜，在角

裏的部分是由少數幾個多餘的半晶面所組成的過渡區，這個區域稱小角晶界。小角晶界是一種鑲嵌結構。顯然小角晶界可以看成一些刃型位錯的排列。