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抑制性突觸後電位
鎖定
- 中文名
- 抑制性突觸後電位
- 外文名
- Inhibitory postsynaptic potential, IPSP
- 機 制
- 突觸後膜在遞質作用下發生超極化
抑制性突觸後電位特點介紹
（1）突觸前膜釋放遞質是Cl-內流引發的；
（2）遞質是以囊泡的形式以出胞作用的方式釋放出來的；
（4）IPSP是突觸後膜離子通透性變化所致，與突觸前膜無關。
抑制性突觸後電位機制
突觸後膜在遞質作用下發生超極化，使該突觸後神經元的興奮下降，這種電位變化稱為抑制性突觸後電位（IPSP）。其產生機制為抑制性遞質作用於突觸後膜，使後膜上的配體門控CI-通道開放，引起CI-內流，突觸後膜發生超極化。此外，IPSP的形成還可能與突觸後膜K+通道的開放或Na+、Ca2+通道的關閉有關。
抑制性突觸後電位
抑制性突觸後電位
- 參考資料
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- 1. 抑制性突觸後電位 ．術語在線—權威的術語知識服務平台[引用日期2021-12-09]
