截止狀態

晶體管的工作狀態（工作模式）有放大狀態、飽和狀態、截止狀態和反向放大狀態四種。截止狀態就是電流很小、基本上不導通的一種工作狀態（工作模式）。這種狀態，不管是BJT（雙極型晶體管），還是FET（場效應晶體管），都是一致的；在輸出伏安特性曲線上，其範圍都是處於最下面的小區域（緊靠橫軸——電壓軸）。

（1）對於BJT：

一般，I_eco要比I_bco大得多。因為I_eco實際上也就是基極開路時的E、C電極之間的電流；而對於共發射極組態來説，即使基極開路，但發射結上還是加有正向電壓、集電結上加有反向電壓，即BJT仍然是處於放大狀態，只不過這時通過發射結的”輸入電流”是很小的I_bco，因此輸出的集電極電流Ic就應該是：

（2）對於FET：

FET的截止狀態就是沒有溝道的狀態，當然這時不會導電；通過的電流也就是漏結的反向飽和電流，非常小。這也是一種“關”態。

注意：FET的截止狀態不同於其飽和狀態（即放大狀態）。截止狀態是根本不存在溝道的狀態，而飽和狀態是有溝道、但溝道在漏極一端被夾斷了的狀態；因此截止狀態的輸出電流很小，而飽和狀態的輸出電流很大。

此外，對於MOSFET，也要注意區分截止狀態與亞閾狀態這兩種工作狀態。亞閾狀態是半導體表面多數載流子耗盡、能帶彎曲，但又沒有完全形成溝道的一種狀態（又稱為弱反型狀態，這時耗盡層厚度尚未達到最大）；因此在亞閾狀態工作時，有較小的電流沿着表面流動、並受到柵極電壓的控制，從而可用作為低功耗的開關。

一般把

作為三極管截止的標誌。顯然只要e結正偏電壓小於導通閾值電壓V_T（硅管約為0.5 V），c結反偏，就使三極管處於截止狀態。這時可把三極管等效成e、b，c互不相通的三點來處理，如三極管共射接法的截止狀態等效電路圖所示，其它電路仍照樣接上．這時：

。 ^[1] 

當發射結電壓低於死區電壓，基極電流很小，以至I_b=0時，集電極電流減小到穿透電流的數值I_ceo。I_ceo一般不大，它在負載電阻上的壓降很小，因此集電極與安射極間的電壓降U_ceo接近於電源電壓，此時晶體管的等效內阻

很大，這相當於開關的斷開狀態。

通常在I_b=0的情況下，所獲得的晶體管的截止狀態，尚覺不夠理想，為了獲得一個比較理想的開關的斷開狀態，只要在基極和發射極間加一個反向偏置電壓，這樣集電極電流就會減小，且比I_ceo的數值還要小許多，在這種情況下，晶體管的集電結和發射結都處於反偏置。 ^[2] 

當三極管的基極電位等於或小於三極管發射極電位時，三極管處於截止狀態。根據這一原理，合上開關S，用一根導線短接三極管VT的基極（P2）與發射極（P3），這時三極管基極電位與發射極電位相等，電流表A1的顯示電流是R2支路的工作電流，電流表A2無指示，即三極管集電極沒有電流，表示三極管處於截止狀態。 ^[3]