應變量子阱

應變量子阱就是利用晶格不匹配的兩種材料，用單原子層外延技術生長在一起。由於材料物理特性的優化，使得半導體發光器件的性能得到革命性的巨大改善。

普通的半導體激光器雖有MW/cm2以上的很大功率密度輸出，但由於有源區體積很小，其輸出功率也只有幾十毫瓦。超過10MW/cm2的功率密度，由於端面的劣化，激光器將受到破壞。因此長期以來半導體激光器只能在小功率水平下應用，被排斥在功率型激光器的門外。然而，量子阱材料特別是應變量子阱材料的應用，由於吸收帶邊向短波方向的藍移，鏡面內側材料的本徵吸收將大大降低，這就使得它可以承受更高的功率密度(達10MW/cm2以上)。