微腔激光器

它具有低閥值、高轉化效率、高速調製等特點。其主要結構、形式有垂直腔面發射激光器和微盤激光器。垂直腔面發射激光器一般是以高反射率的多層介質膜作為平面腔鏡，激光垂直於腔鏡表面出射;微盤激光器則是利用彎曲介面的全反射形成腔限制，以迴音壁模式作為主要諧振模式。1988年,日本東京工業大學的伊賀(Iga)等人成功地研製出垂直腔面發射激光器;1992年美國AT&T的麥考(McCall)等人研製成功液氮温度光泵浦InGaAs/InGaAsP微盤激光器。微腔激光器由於其尺寸小,對腔內發光物質產生量子限制，從而出現一系列腔量子電動力學(大量QED)效應。為腔量子電動力學理論研究提供了展示舞台。這種激光器比傳統的半導體激光器有明顯的優越性，在光集成、光互連、光神經網絡以及光通訊等方面有着廣泛的應用前景。