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後仿真

鎖定
版圖設計完成之後,得到的是用版圖形式表示的MOS集成電路,它是由擴散層、介質層、多晶硅層、碳納米層以及金屬層等多層結構組成的一個複雜系統。
中文名
後仿真
外文名
post-simulation
形    式
MOS集成電路
應    用
版圖設計
隨着工藝的不斷進步,寄生效應如寄生電阻、寄生電容以及互連延遲對電路帶來的性能影響已不容忽視,對深亞微米的集成電路設計尤其需考慮這方面因素的影響。
“後仿真”指的是版圖設計完成以後,將寄生參數、互連延遲反標到所提取的電路網表中進行仿真,對電路進行分析,確保電路符合設計要求。後仿真所使用的方法與前仿真並沒有什麼不同,只是加入寄生參數以及互連延遲。如果後仿真能夠獲得正確的結果,我們就可以放心的將版圖數據交付給Foundry流片了。
在版圖設計完成之前我們對電路進行的仿真是比較理想的仿真,並不包含任何物理信息如寄生效應、互連延遲等,稱作“前仿真”。 [1] 
參考資料