彭超

2009年在北京大學電子學系獲博士學位，曾任京都大學JSPS特別研究員和麻省理工學院訪問學者。自2012年起在北京大學電子學系、電子學院（2021年11月成立）工作。 ^[4] 

北京大學電子學院教授。 ^[1] 

主要研究領域為拓撲光子學與集成光子器件。 ^[4] 

在包括Nature、Science、Phys. Rev. Lett. 等期刊發表論文80餘篇。主持自然科學基金、863等項目4項，包括2019年獲基金委優青基金項目資助。 ^[4] 

代表性工作包括首次觀測到非厄米光子體系體費米弧和拓撲半荷（Science 2018）；利用拓撲荷演化實現了隨機散射魯棒的超高Q諧振態（Nature 2019）；利用拓撲荷分裂再合併實現了不依靠反射鏡的定向輻射新方法（Nature 2020）；首次在在實空間首次合成並觀測了非阿貝爾規範場（Science 2019）。 ^[5] 

2023年，北京大學電子學院彭超教授所在的聯合團隊在超高速純硅調製器方面取得創記錄突破，實現了全球首個電光帶寬達110GHz的純硅調製器，是自2004年英特爾在《自然》期刊報道第一個1GHz硅調製器後，國際上首次把純硅調製器帶寬提高到100GHz以上。相關研究成果以《110GHz帶寬慢光硅調製器》為題在線發表於《科學·進展》。 ^[2] 

2024年1月，入選2023年度“年度科技新鋭”榜單。 ^[6]