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張進成

(西安電子科技大學黨委常委、副校長)

鎖定
張進成,男,博士,1976年生,陝西省人。微電子學院教師,二級教授,博士生導師,寬帶隙半導體技術國家級重點實驗室副主任,陝西省大功率半導體照明工程技術研究中心副主任,2009年國家技術發明二等獎獲得者(排名第二),IEEE會員,中國電子學會空間電子學分會第六屆委員。先後入選2010年陝西省“新世紀三五人才”計劃,被授予陝西省青年科技新星(2010年)、教育部新世紀優秀人才(2007年)、陝西省高等學校優秀青年教師(2005年)、校十佳青年教師(2005年)等榮譽稱號。 [2]  [6] 
現任西安電子科技大學黨委常委、副校長。
中文名
張進成
出生日期
1976年
畢業院校
西安電子科技大學
學位/學歷
學士、碩士和博士學位
主要成就
教育部新世紀優秀人才

張進成工作經歷

張進成分別於1998年、2001年和2004年在西安電子科技大學微電子學與固體電子學專業獲得學士、碩士和博士學位,師從著名微電子專家郝躍教授。
2005年6月晉升為副教授,2009年6月破格晉升教授。
分別於2005年12月和2010年12月被評為微電子學與固體電子學碩士生指導教師和博士生指導教師。
2008年10月起擔任寬帶隙半導體技術國家級重點實驗室副主任。
歷任微電子學院副院長,科學研究院院長兼基礎科研與能力建設部部長,校長助理等職務。 [6] 
西安電子科技大學第十三屆黨委常委。 [4] 

張進成研究領域

(1)寬禁帶半導體技術(設備、材料、微波器件、功率器件等);
(2)低維半導體材料與器件(超晶格、納米、石墨烯等);
(3)半導體光電材料與器件(LED、太陽電池等)。

張進成人物榮譽

作為主要技術負責人先後研製出表面反應增強型MOCVD系統、高性能GaN異質結構外延材料、GaN微波毫米波功率器件、高亮度GaN藍光LED以及InGaN基化合物半導體太陽電池等大量研究成果,填補了多項國內空白,打破了發達國家的技術壟斷。合作開發的MOCVD技術和高亮度藍光LED技術已實現技術轉讓和產業化,產值上億元。研製的高性能GaN異質結構外延材料在中科院微電子所等國內單位以及日本、新加坡等國的研究機構中獲得大量應用,被評價為材料性能達到國際先進水平。研究成果獲得國家技術發明二等獎 1 項(排名第二),省部級一、二等獎 5項。 [1] 
2023年,榮獲何梁何利基金科學與技術創新獎(青年創新獎)。 [3] 
參考資料