張笑

2016年入選“廣東特支計劃”科技創新青年拔尖人才

2014年加入中山大學任“百人計劃”特聘教授

2006年~2013年 美國斯坦福大學電子工程系 碩士及博士

2002年~2006年 北京大學 微電子系 獲學士學位 ^[1] 

2014年承擔中山大學理工學院“半導體物理”，“理論物理”和“高級算法語言與程序設計”教學。 ^[1] 

目前的研究方向包括理論物理（拓撲理論在物理中的應用），計算物理（尋找拓撲新材料和人工結構），微電子器件（使用新拓撲材料的奇特器件），機器學習與人工智能（語音識別、時序分析和量子相變）。 ^[1] 

主要工作包括：預測了強關聯拓撲絕緣體材料（Science 335 (2012)）；理論論證了量子反常霍爾效應在互連線上應用的可能性；提出了拓撲絕緣體在太赫茲光電方面的應用；申請了第一個拓撲絕緣體應用全球專利（US20120138887）；並提出了納米MOS器件功函數差異性的第一個完整模型，研究了其對SRAM電路的影響（IEDM 2009）。 ^[1] 

1.Zihao Gao, Meng Hua, Haijun Zhang, Xiao Zhang, Classification of stable Dirac and Weyl semimetals with reflection and rotational symmetry, Phys. Rev. B 93, 205109 (2016).

2.Ching Hua Lee, Xiao Zhang, Bochen Guan, Negative differential resistance and characteristic nonlinear electromagnetic response of a Topological Insulator, Scientific Reports 5,18008 (2015).

3. Xiao Zhang, Haijun Zhang, Jing Wang, Claudia Felser, Shou-Cheng Zhang, “Actinide Topological Insulator Materials with Strong Interaction”, Science 335, 1464 (2012).

4. Xiao Zhang, Shou-Cheng Zhang, “Chiral interconnects based on topological insulators” (invited paper), Proc. SPIE 8373, 837309 (2012).

5. Xiao Zhang, Jerome Mitard, Lars-Ake Ragnarsson, Thomas Hoffmann, Michael Deal, Melody Grubbs, Blanka Magyari-Kope, Bruce Clemens, Yoshio Nishi, “Theory and Experiments of the Impact of Work Function Variability on Threshold Voltage Variability in MOS Devices”, IEEE Trans. Electron Devices 59, 3124 (2012).

6. Xiao Zhang, Jing Wang, Shou-Cheng Zhang, “Topological insulators for high-performance terahertz to infrared applications”, Phys. Rev. B 82, 245107 (2010).

7. Melody Grubbs, Xiao Zhang, Michael Deal, Yoshio Nishi, Bruce Clemens, “Development and characterization of high temperature stable Ta–W–Si–C amorphous metal gates”, Appl. Phys. Lett. 97, 223505 (2010).

8. Xiao Zhang, Jing Li, Melody Grubbs, M. Deal, B. Magyari-Kope, B.M. Clemens, Yoshio Nishi, “Physical Model of the Impact of Metal Grain Work Function Variability on Emerging Dual Metal Gate MOSFETs and its implication for SRAM Reliability”, IEDM 2009, December, 2009, Baltimore.

9. Xiao Zhang, Min Yu, Charlotte T. M. Kwok, Ramakrishnan Vaidyanathan, Richard D. Braatz, Edmund G. Seebauer, “Precursor mechanism for interaction of bulk interstitial atoms with Si(100)”, Phys. Rev. B 74, 235301 (2006). ^[1]