平面型二極管

在半導體單晶片（主要地是N型硅單晶片）上，擴散P型雜質，利用硅片表面氧化膜的屏蔽作用，在N型硅單晶片上僅選擇性地擴散一部分而形成的PN結。因此，不需要為調整PN結面積的藥品腐蝕作用。由於半導體表面被製作得平整，故而得名。並且，PN結合的表面，因被氧化膜覆蓋，所以公認為是穩定性好和壽命長的類型。最初，對於被使用的半導體材料是採用外延法形成的，故又把平面型稱為外延平面型。對平面型二極管而言，似乎使用於大電流整流用的型號很少，而作小電流開關用的型號則很多。

日本工業技術院電子技術綜合研究所採用掃描隧道顯微鏡(STM)成功地製作了線寬為18nm的平面型二極管。日本計劃在2010年開發出64吉比特的動態隨機存取存儲器，而這種二極管的開發為其提供了可能性。

採用STM以逐個控制電子、分子，製作終極元件的研究工作很活躍，但在事實上製成電子元件，這次還是世界首例，這一成果開拓了實現量子化功能元件的道路，因而引起人們的注目。該元件的要點是STM作為捕獲原子的攝子，並作為使其產生化學反應的電極。 ^[1]