複製鏈接
請複製以下鏈接發送給好友

屏蔽雙絞線

鎖定
屏蔽雙絞線(英語:Shielded Twisted Pair,STP),是一種廣泛用於數據傳輸的銅質雙絞線。雙絞線可分為非屏蔽雙絞線(UTP:Unshielded Twisted Pair)和屏蔽雙絞線(STP:Shielded Twisted Pair)兩種類型。在物理結構上,屏蔽雙絞線比非屏蔽雙絞線多了全屏蔽層和/或線對屏蔽層,通過屏蔽的方式,減少了衰減和噪音,從而提供了更加潔淨的電子信號,和更長的電纜長度,但是屏蔽雙絞線價格更加昂貴,重量更重並且不易安裝。
中文名
屏蔽雙絞線
外文名
Shielded Twisted Pair
簡    稱
STP
用    於
數據傳輸質線材

屏蔽雙絞線定義

雙絞線由四組兩條一對地互相纏繞幷包裝在絕緣管套中的銅線所組成,多對雙絞線包裝在一起時,常常對各對雙絞線進行顏色編碼。模擬、數字和以太網等不同用途需要多對不同雙絞線。四對不同顏色的傳輸線互相纏繞,每對相同顏色的線傳遞着來回兩方向的電脈衝,這樣的設計是利用了電磁感應相互抵銷的原理來屏蔽頻率小於30Mhz的電磁干擾。對於高於30Mhz的電磁干擾,通常考慮採用屏蔽的方式來進行防護,因此有了屏蔽雙絞線。
屏蔽雙絞線根據屏蔽方式的不同,屏蔽雙絞線又分為兩類,即SFTP(Shielded Foil Twisted-Pair)和FTP(Foil Twisted-Pair)。
SFTP是指雙屏蔽雙絞線,而FTP則是採用整體屏蔽的屏蔽雙絞線。需要注意的是,屏蔽只在整個電纜裝有屏蔽裝置,並且兩端正確接地的情況下才起作用。所以,要求整個系統全部是屏蔽器件,包括電纜、插座、跳線和配線架等,同時建築物需要有良好的地線系統。但是在實際施工時,很難全部接地。在正常良好接地情況下,屏蔽系統抵制外界耦合噪音的能力是非屏蔽系統的100-1000倍,即使在屏蔽層沒有接地或接地不良的情況下,屏蔽佈線系統抵禦能力仍然可為非屏蔽佈線系統的10倍以上 [1] 
屏蔽雙絞線電纜的外層由鋁箔包裹,以減小輻射,但並不能完全消除輻射。屏蔽雙絞線價格相對較高,安裝時要比非屏蔽雙絞線電纜困難,必須配有支持屏蔽功能的特殊連結和施工工藝。安裝屏蔽雙絞線時,屏蔽雙絞線的屏蔽層必須接地,但在有大量的電磁干擾的物理地區屏蔽雙絞線提供一個即方便經濟、效益又好的解決方法。

屏蔽雙絞線類型簡介

命名規則
ISO/IEC 11801:2002的附錄E中將不同類型的雙絞線命名規則歸納如下:
X/YTP
其中斜槓/之前為總屏蔽層,斜槓/之後為每對線對的單獨屏蔽層,並按S指代絲網編織屏蔽;F指代一層或兩層鋁箔屏蔽;SF指代絲網編織及鋁箔屏蔽;U指無屏蔽層。以下對各種屏蔽類型做詳細比較:
F/UTP屏蔽雙絞線
F/UTP F/UTP
鋁箔總屏蔽屏蔽雙絞線(F/UTP)是最傳統的屏蔽雙絞線,主要用於將8芯雙絞線與外部電磁場隔離,對線對之間電磁干擾沒有作用。
F/UTP雙絞線在8芯雙絞線外層包裹了一層鋁箔。即在8根芯線外、護套內有一層鋁箔,在鋁箔的導電面上鋪設了一根接地導線。
F/UTP雙絞線主要用於超五類,六類產品中,在超六類產品中也有應用。
F/UTP屏蔽雙絞線有以下工程特點:
通常情況下,超五類及六類雙絞線外徑大於同等級的非屏蔽雙絞線;超六類非屏蔽雙絞線因設計間差異,可能大於F/UTP屏蔽雙絞線;
U/FTP屏蔽雙絞線
U/FTP
U/FTP(2張)
線對屏蔽雙絞線(U/FTP)的屏蔽層同樣由鋁箔和接地導線組成,所不同的是:鋁箔層分有4張,分別包裹4個線對,切斷了每個線對之間電磁干擾途徑。因此它除了可以抵禦外來的電磁干擾外,還可以對抗線對之間的電磁干擾(串擾)。
U/FTP線對屏蔽雙絞線主要用於六類屏蔽雙絞線,也可以用於超5類屏蔽雙絞線。
SF/UTP屏蔽雙絞線
SF/UTP SF/UTP
SF/UTP屏蔽雙絞線的總屏蔽層為鋁箔+銅絲網,屬於雙層屏蔽雙絞線的一種,它不需要接地導線作為引流線:銅絲網具有很好的韌性,不易折斷,因此它本身就可以作為鋁箔層的引流線,萬一鋁箔層斷裂,絲網將起到將鋁箔層繼續連接的作用。
SF/UTP雙絞線在4個雙絞線的線對上,沒有各自的屏蔽層。因此它屬於只有總屏蔽層的屏蔽雙絞線。
F2/UTP屏蔽雙絞線
F2/UTP屏蔽雙絞線的總屏蔽層為兩層導電層相對的鋁箔層,屬於雙層屏蔽雙絞線的一種。它的接地線位於兩層導電層之間。雙層導電層的設計能避免屏蔽施工時導電層外翻引起的電磁泄露。
F2/UTP在線對上沒有獨立的屏蔽層,因此屬於只有總屏蔽層的屏蔽雙絞線。
S/FTP屏蔽雙絞線
S/FTP
S/FTP(2張)
S/FTP屏蔽雙絞線屬於雙層屏蔽雙絞線,具有絲網編織總屏蔽層以及線對鋁箔屏蔽,被認為是屏蔽效果最好的雙絞線屏蔽結構。它通常應用於七類或超七類屏蔽雙絞線的線纜產品,也可用於超六類屏蔽雙絞線。
S/FTP屏蔽雙絞線因添加了線對屏蔽結構,故通常在結構上不再加入用於線對隔離的骨架,而因為絲網編織層的加入,故總體線纜外徑比普通F/UTP要粗,且比較硬,其粗細程度視編織網密度而異。
其他屏蔽雙絞線種類
屏蔽雙絞線除以上種類外,還有一些其他的屏蔽種類,如鋁箔外翻屏蔽(F1/UTP)、雙層鋁箔線對屏蔽雙絞線(F/FTP)、雙重總屏蔽+線對屏蔽雙絞線(SF/FTP)等等。
這些雙絞線種類因製作工藝具有一定特殊性,且工作原理可以通過前述四種屏蔽雙絞線演變產生。

屏蔽雙絞線適用場所

  • 半工業環境和工業環境應採用屏蔽佈線系統
  • 工礦企業宜採用屏蔽佈線系統
  • 傳輸帶寬大於500MHz時,或需支持2.5G/5G、10GBASE-T等應用時
  • 在涉及到視頻源、音源時應優先考慮屏蔽佈線
  • 在涉密信息傳輸中可以考慮採用屏蔽佈線
  • 環境干擾源情況複雜時宜採用屏蔽佈線
  • 弱電專網中某些子系統可以考慮採用屏蔽佈線
  • 數據中心的水平子系統可以考慮採用屏蔽佈線系統
  • 醫療建築宜在關鍵部位採用屏蔽佈線 [2] 

屏蔽雙絞線施工需知

嚴格按照國標GB 50312-2016所制定的條款要求制訂施工操作規程進行施工;
根據GB 50312-2016的規定,屏蔽對絞電纜的彎曲半徑為對絞電纜外徑(纜徑)的8倍,這要求施工時對橋架和導管的彎角處需特別注意;
在工程中,應根據所用屏蔽對絞電纜的外徑確定橋架和電線管的尺寸,以免造成穿線困難;
軸裝線布放電纜時使用支架;
接地系統要求完整無缺、沒有鬆動的現象;
安裝的模塊屏蔽殼體與屏蔽電纜屏蔽層作良好連接。 [1]  鋁箔兩面並非都是導電層,通常只有一面為導電層(即與接地導線連接的一面);鋁箔層要與接地導線一起端接到屏蔽模塊的屏蔽層上;
為了不留下電磁波可以侵入的縫隙,應儘量將鋁箔層展開,與模塊的屏蔽層之間形成360度的全方位接觸;
當屏蔽層的導電面在裏層時,應將鋁箔層翻過來覆蓋在雙絞線的護套外,用屏蔽模塊附帶的尼龍紮帶將雙絞線與模塊後部的金屬託架固定成一體。這樣,在罩上屏蔽殼後,無論是屏蔽殼與屏蔽層之間,還是屏蔽層與護套之間都沒有留下電磁波可以侵入的縫隙;
屏蔽雙絞線端接施工完畢後,應根據所規定按設計所應達到的性能等級進行測試,同時保證屏蔽層的接地連續性,以及接入大樓接地的等電位聯結的電阻值接地電位差不應大於1Vr.m.s” [3] 

屏蔽雙絞線屏蔽佈線

使用屏蔽佈線必須滿足兩個條件:“全程屏蔽”和“屏蔽層正確可靠接地”。全程屏蔽,即:佈線系統中所使用的配線架、電纜、接插件、跳線、網絡設備均採用屏蔽產品,而且屏蔽層之間應該保持良好聯接與接地。對於屏蔽綜合佈線系統,主要做到兩端接地,即在屏蔽對絞電纜的兩端(工作區和電信間的配線架)分別接地。
在工作區信息插座的屏蔽層不做專門接地,工作區通過屏蔽跳線將屏蔽信息插座與屏蔽網絡設備的屏蔽層連接,自然而然地通過終端設備電源線的PE端子實現了接地。
綜合佈線系統接地電阻不應大於4Ω。直接與屏蔽佈線系統相關的接地設計主要集中在配線架/櫃一側,工作區屏蔽信息插座不需要再通過接地實體連接到等電位聯結端子板。原因是機櫃在安裝場地已完成了等電位聯結,兩端的網絡設備則可以通過交流電源的保護地線(PE)完成等電位聯結, 這樣工作區屏蔽信息插座經屏蔽跳線和設備電源PE線相通,完成接地。
接地應考慮在進線間,電信間,機房內的機架/機櫃進行,機櫃內接地應連接在等電位聯結導體上 [2] 

屏蔽雙絞線相關區別

雙絞線分為屏蔽雙絞線(Shielded Twisted Pair,STP)與非屏蔽雙絞線(Unshielded Twisted Pair,UTP)。屏蔽雙絞線在雙絞線與外層絕緣封套之間有一個金屬層蔽層。屏蔽層可減少輻射,防止信息被竊聽,也可阻止外部電磁干擾的進入,使屏蔽雙絞線比同類的非屏蔽雙絞線具有更高的傳輸速率。非屏蔽雙絞線(Unshielded Twisted Pair,縮寫UTP)是一種數據傳輸線,由四對不同顏色的傳輸線所組成,廣泛用於以太網路和電話線中。非屏蔽雙絞線電纜最早在1881年被用於貝爾發明的電話系統中。1900年美國的電話線網絡亦主要由UTP所組成,由電話公司所擁有。 [4] 
參考資料
  • 1.    中國工程建設標準化協會信息通信專業委員會綜合佈線工作組.屏蔽佈線系統的設計與施工檢測技術白皮書.北京:中國工程建設標準化協會信息通信專業委員會綜合佈線工作組,2009-6:29~40
  • 2.    中國工程建設標準化協會信息通信專業委員會綜合佈線工作組.屏蔽佈線系統的設計與施工檢測技術白皮書.北京:中國工程建設標準化協會信息通信專業委員會綜合佈線工作組,2009-6:10~16
  • 3.    GB 50312-2007 綜合佈線系統工程驗收規範
  • 4.    劉承智, 丁國良, 王玉明,等. 電磁脈衝對屏蔽雙絞線耦合效應實驗研究[J]. 軍械工程學院學報, 2012, 24(4):29-32.