射頻化學氣相沉積

射頻化學氣相沉積是指用射頻等離子體激活反應氣體，促進在基體表面或近表面空間進行化學反應，生成固態膜的技術。原理是以兩個平行的圓鋁板作電極，通過電容耦合方式輸入射頻功率，反應氣體由下電極中心孔輸入，沿徑向流動，在射頻電場激勵下放電，形成等離子體，並在位於下電極表面的基體上生成固態膜。在沉積中，基體與等離子體之間施加偏壓，誘導沉積發生在基體上，偏壓決定沉積速率，襯底偏壓500V時，沉積速率為10nm/min。沉積裝置有電容耦合和電感耦合兩種。射頻頻率般為13.56MHz。電容耦合平行極RFCVD裝置具有放電穩定和功率大的特點。可用絕緣材料作靶,鍍製陶瓷和高分子材料絕緣膜。