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孫仲

（北京大學集成電路學院研究員、助理教授、博士生導師）

孫仲，北京大學集成電路學院研究員、助理教授、博士生導師。^[1] 2020年入職北京大學人工智能研究院和微納電子學系。2016年畢業於清華大學，獲博士學位，同年赴意大利米蘭理工大學開展博士後研究工作。長期從事阻變存儲器（憶阻器）及存內計算研究，在器件物理、存內計算電路及應用等領域取得一系列創新成果。^[3]

中文名: 孫仲
國籍: 中國

畢業院校: 清華大學
 南開大學^[2]

孫仲人物經歷

2020年-，北京大學，研究員

2016 – 2020，米蘭理工大學，博士後

2011 – 2016，清華大學，獲博士學位

2007 – 2011，南開大學，獲學士學位^[2]

孫仲研究方向

模擬和混合信號集成電路設計

基於阻變動力學的神經網絡模型

新原理阻變器件^[1]

孫仲主要成就

孫仲科研成果

長期從事阻變存儲器及新型計算範式研究，相關論文發表在PNAS、Science Advances、Nature Communications、IEEE TCAS-I/II等期刊。^[2]

孫仲學術成果

[1] Z. Sun, G. Pedretti, E. Ambrosi, A. Bricalli, W. Wang, D. Ielmini*, Solving matrix equations in one step with cross-point resistive arrays. Proc. Natl Acad. Sci. USA 2019, 116, 4123-4128.

[2] Z. Sun, E. Ambrosi, A. Bricalli, D. Ielmini*, Logic computing with stateful neural networks of resistive switches. Adv. Mater. 2018, 30, 1802554.

[3] Z. Sun, G. Pedretti, A. Bricalli, D. Ielmini*, One-step regression and classification with crosspoint resistive-memory arrays. Sci. Adv. 2020, 6, eaay2378.

[4] Z. Sun*, D. Ielmini*, Invited Tutorial: Analog Matrix Computing with Crosspoint Resistive Memory Arrays. IEEE Trans. Circuits Syst, II Exp. Brief 2022. DOI: 10.1109/TCSII.2022.3174920.

[5] Z. Sun*, R. Huang*, Time complexity of in-memory matrix-vector multiplication. IEEE Trans. Circuits Syst. II Exp. Brief 2021, 68, 2785-2789.

[6] S. Wang, Z. Sun*, Y. Liu, S. Bao, Y. Cai, D. Ielmini, R. Huang. Optimization Schemes for In-Memory Linear Regression Circuit With Memristor Arrays. IEEE Trans. Circuits Syst. I Regul. Pap. 2021, 68, 4900-4909.

[7] Z. Sun*, G. Pedretti, E. Ambrosi, A. Bricalli, D. Ielmini*, Time complexity of in-memory solution of linear systems. IEEE Trans. Electron Devices 2020, 67, 2945-2951.

[8] Z. Sun, G. Pedretti, E. Ambrosi, A. Bricalli, D. Ielmini*, In-memory PageRank accelerator with a crosspoint array of resistive memories. IEEE Trans. Electron Devices 2020, 67, 1466-1470.

[9] Z. Sun, L. Wei, C. Feng, P. Miao, M. Guo, H. Yang, J. Li, Y. Zhao*, Built-in Homojunction Dominated Intrinsically Rectifying-Resistive Switching in NiO Nanodots for Selection Device-Free Memory Application. Adv. Electron. Mater. 2017, 3, 1600361.

[10] D. Ielmini, Z. Sun, G. Pedretti, Mathematical problem solving circuit comprising resistive elements. US Patent 11,314,843, 2022.^[4]