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威廉·肖克利
鎖定
威廉·肖克利人物生平
肖克利在英國倫敦出生,父母是美國人。他在加利福尼亞州長大並於1932年本科畢業於加州理工學院。1936年他獲得了麻省理工學院博士學位,其博士論文題目為計算氯化鈉晶體內的電子密度函數。1936-1955年期間他在貝爾實驗室工作,曾任晶體管物理部主任。1938年獲第一個專利“電子倍增放電器”。1947年與他人合作發明了晶體管。1951年他成為美國國家科學院院士。1955年,他在加州芒廷維尤創立了「肖克利實驗室股份有限公司」,聘用了很多年輕優秀的人才。但很快肖克利個人的管理方法因其公司內部不合,八名主要員工(八叛逆)於1957年集體跳槽成立了仙童半導體公司,後來開發了第一塊集成電路。而肖克利實驗室則每況愈下,兩次被轉賣後於1968年永久關閉。肖克利於1963年開始任斯坦福大學教授。他在晚年認為各種族的遺傳水準有高有低,並支持鼓動智力低下者自願絕育,因而在科學界和媒體界引起了爭議。他於1989年因前列腺癌去世。
威廉·肖克利個人生活
威廉·肖克利研究方向
肖克利的研究集中在固體的能帶上;合金中的有序與無序;真空管理論;銅的自擴散;位錯和晶界理論;鐵磁疇實驗與理論;氯化銀中的光電子實驗;晶體管物理學和運籌學中的各種主題研究實驗室中工資和個人生產力的統計數據。
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威廉·肖克利主要成就
事實證明,放大電信號對電話和無線電具有決定性作用。首先,電子管被用於此。然而,為了開發更小、更有效的放大器,人們希望可以使用半導體——這種材料的性能介於電導體和絕緣體之間。量子力學使人們對這些材料的性質有了新的認識。1947年,約翰·巴丁和沃爾特·布拉頓生產了一種半導體放大器,並由威廉·肖克利進一步開發。這個部件被命名為“晶體管”。
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威廉·肖克利所獲榮譽
他的工作獲得了許多榮譽。1946年,他因在戰爭部的工作而獲得功績勳章;1952年無線電工程師學會莫里斯·萊布曼紀念獎;次年獲得美國物理學會的奧利弗·E·巴克利固態物理獎,一年後獲得美國國家科學院的賽勒斯·B·康斯托克獎。1956年,他與貝爾電話實驗室的兩位前同事約翰·巴丁和沃爾特·布拉頓共同獲得了諾貝爾物理學獎。
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威廉·肖克利社會任職
1932年,在加州理工學院獲學士學位;1936年,在麻省理工(MIT)獲固體物理學博士學位。
自1951年以來,肖克利博士一直是美國陸軍科學諮詢委員會的成員;自1958年以來,一直在空軍科學諮詢委員會任職。
1955年在硅谷創辦肖克利半導體實驗室,擔任主任。
1936-1955年,擔任貝爾實驗室晶體管物理部主任。
1955-1963年,在硅谷創辦肖克利半導體實驗室;1962年,被任命為總統科學諮詢委員會成員。
1963年開始,擔任斯坦福大學教授。
- 參考資料
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- 1. 這些科學大咖,走上科學巔峯,卻患上了“諾貝爾病” .澎湃新聞[引用日期2021-09-28]
- 2. William B. Shockley | Nobel Prize, semiconductor, transistor .Britannica[引用日期2023-12-08]
- 3. William B. Shockley – Facts .NobelPrize.org[引用日期2023-12-08]