多層單元

多層單元（MLC）閃存是在每個單元可以存儲兩位數據。相比於單層單元（SLC）閃存，其成本要低，這使得它是消費級固態存儲的可取選擇。MLC的缺點是比特誤差率比SLC要高，那是因為它誤讀單元狀態的機率大。

多層單元閃存，這種快速發展的技術出現將以往廉價的固態存儲可以應用到企業級關鍵應用中，從而在價格和性能之間達成某種平衡。不過雖然閃存打開了這片市場，基於主機的存儲作為後繼者，採用直連存儲這種創新方式亦進入了市場。 ^[1] 

MLC閃存的主要好處是較高的數據密度帶來的較低單元存儲成本，而存儲器讀取軟件可以補償更大的比特誤碼率。更高的錯誤率需要前向糾錯（ECC）來糾正多個比特錯誤。例如，SandForceSF-2500閃存控制器可以糾正每個512字節扇區中最多55比特，從而使不可恢復讀錯誤的發生率低於每讀寫10比特時一個扇區。最常被使用的算法是BCH碼。與SLC閃存相比，MLC NAND的其他缺點是較低的寫入速度、較低的編程擦除週期數和更高的功耗。

有少數存儲器設備走向另一個方向，為每個比特使用兩個單元，從而得到更低的誤碼率。Intel 8087使用每個單元兩個比特的技術，並是首個在1980年於市場上使用多層ROM單元的設備。一些固態磁盤使用MLC NAND中的部分晶粒模擬為單比特的SLC NAND，從而提供更高的寫入速度。 ^[1] 

三星集團宣佈了每個單元（cell）存儲三比特信息的一種NAND閃存，具有共8種電壓狀態。這也稱之為三層單元（Triple Level Cell，縮寫TLC），首次應用於840系列SSD。三星將這項技術稱之為3比特MLC。基於NAND存儲器的閃迪 X4閃存存儲卡在每個晶體管中使用16個離散電荷電平（狀態）在每個單元存儲四比特。MLC的缺點在TLC上同樣存在並更為突出，但TLC也受益於更高的存儲密度和更低的成本。 ^[2] 

閃存將數據存儲在浮柵晶體管制成的各存儲單元中。在傳統上，每個單元有兩種可能的狀態，因此每個單元中存儲一個比特數據的稱之為單層單元，或者SLC閃存。SLC存儲器具有高寫入速度、低功耗、更長電池耐久的優點。但是，因為SLC存儲器比MLC存儲器在每個單元中存儲的數據更少，它存儲每兆字節的成本更高。由於更快的傳輸速度和更長使用壽命，SLC閃存技術更常被用於製造高性能存儲卡。2016年2月的一項研究表示，SLC與MLC的可靠性在實踐中幾乎沒有差異。 ^[1]