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場離子顯微術

鎖定
場離子顯微術(Field Ion Microscopy,FIM) 是於1951 年由Muller 所發明,其前身乃場發射顯微術(Field EmissionMicroscopy,FEM)。FEM在1936 年被髮明。
中文名
場離子顯微術
外文名
Field Ion Microscopy
發明者
Muller
學    科
材料工程
領    域
工程技術
發明時間
1951年

場離子顯微術簡介

FIM 是於1951 年由Muller 所發明,其前身乃場發射顯微術(Field Emission Microscopy,FEM)。FEM在1936 年被髮明,Müller 為了觀察此種場電子的角分佈圖像,於是將針尖狀的發射體(emitter)置於玻璃制球形真空腔中心作為陰極,發射體對面玻璃壁上鍍上一層透明的導體物質,其上再覆以磷光劑作為陽極。當一個大負電壓加在針上時,由於尖端效應,針尖上產生很強的負電場,電子便能被髮射出來。結果發現,發射出來的場電子沿徑向(表面電場方向)飛行,撞擊熒光幕後所產生的亮點可顯現尖點表面結構圖像 [1] 
1951年,穆勒將前面所述的場電子顯微鏡之二極反接,隱約中見到解像力較好的模糊影像。後來他再充入10-3torr(1torr=1mm水銀柱高的氣壓)的氫氣於真空腔中,發現當正電場達2×108V/cm∼3×108V/cm 時,磷光幕上呈現原子解像力的結構圖像。這也是人類第一次肉眼觀察到原子的影像,於是引起許多實驗者極大的興趣。後來才瞭解這是由於發生場遊離(field ionization)所形成的現象。
FIM 即是利用將高正電壓加在針尖上,產生很強的正電場,藉此來遊離氦或氖原子,被遊離出來的正離子因為正電場而被加速射向屏幕,因而得到影像 [1] 

場離子顯微術技術特點

FIM有兩個限制:
1.它只適用在某些能製成針的金屬;
2.需在真空中及液態氮或液態氦的低温下操作。
相較之下,SPM 的限制就少很多 [1] 

場離子顯微術場離子顯微鏡

場離子顯微鏡是最早達到原子分辨率,也就是最早能看得到原子尺度的顯微鏡。只是要用FIM看像,樣品得先處理成針狀,針的末端曲率半徑約在200-1000埃。工作時首先將容器抽到1.33×10-6Pa的真空度,然後通入壓力約1.33×10-1Pa的成像氣體例如惰性氣體氦。在樣品加上足夠高的電壓時,氣體原子發生極化和電離,熒光屏上即可顯示尖端表層原子的清晰圖像,圖象中每一個亮點都是單個原子的像 [2] 
參考資料
  • 1.    吳延瑜, 韓順昌. 原子探針場離子顯微鏡及其應用[J]. 材料開發與應用, 1983(5):3-9.
  • 2.    劉治國. 場離子顯微術在晶體缺陷研究中的應用[J]. 物理學進展, 1993(1):172-180.