場效應晶體管放大電路

利用場效應晶體管作有源器件的放大電路。場效應晶體管是20世紀60年代發展起來的半導體器件。它既有一般晶體管體積小、重量輕、耗電省和可靠性高等優點，又有遠比一般晶體管高的輸入阻抗。此外，由於MOS場效應晶體管組成的集成電路製造工藝簡單、集成度高，因此發展迅速，應用日益廣泛。 ^[1] 

由於場效應晶體管具有輸入阻抗高、噪聲低的優點，在多級放大電路中，經常用作前置放大級。利用場效應晶體管的恆流特性，在放大電路中也常作恆流源用。

利用場效應晶體管的基本放大電路有三種，分別是共源、共漏、共柵放大電路。

(1)共源放大電路：是用得最廣泛的一種電路，其中場效應晶體管是N溝道增強型MOS管。該電路有較大的電壓增益、較大的輸入電阻，但由密勒效應引起的輸入電容太大，影響高頻響應，常用作電壓放大。

(2)共漏放大電路：又名源極跟隨器，也是用得比較廣泛的一種電路，其中場效應晶體管是N溝道耗盡型MOS管。該電路的輸入電阻大，輸入電容小，電壓放大倍數小於1，常用作輸入級以提高輸入阻抗，或用作阻抗變換、緩衝電路。