場區

有源區和場區是互補的，晶體管做在有源區處，金屬和多晶硅連線多做在場區上。

CMOS工藝中的場區（即晶體管以外的區域）需要較厚的氧化層，目的是提高場開啓電壓，使其高於工作電壓，形成良好的隔離；同時減小金屬層或多晶硅與硅襯底之間的寄生電容。但僅靠增加場氧的厚度仍不能滿足對場開啓的要求（即滿足場在器件正常工作時不可能開啓的要求），還要對場區進行注入，增加場區的摻雜濃度，阻止溝道的生成，進一步提高開啓電壓。