基腳

光刻膠對曝光的靈敏度可以由對比度曲線表示，如圖1所示，對比度曲線可以分成四個區域，暗區：曝光劑量很小，光刻膠厚度變化主要由便面成分的溶解造成的；肩部：光刻膠隨曝光計量的增大緩慢變薄；線性區；底部 ^[1]  。

圖2(a)是一個掩模曝光的示意圖，在掩模圖形的邊緣，投射在光刻膠上的曝光強度從遮光處的0增大到透光處的最大值，再由最大值減小到另一邊遮光處的0.由於邊緣處的光學效應，光強的變化並不是光刻工藝所期望的陡變，而是一個漸變，如圖2(b)所示。這種漸變的光強投影在光刻膠上，顯影后得到的圖形如圖2(c)所示，對比度曲線上的“肩部”對應於光刻膠圖形的"top-rounding"。

對比度曲線上的限行區域對應於光刻膠圖形的側壁。對比度曲線上的“肩部”越明顯，光刻膠的“top-rounding”也就越明顯。對比度越高，光刻膠圖形的側壁就越陡直。對比度曲線上的底部對應於光刻膠圖形的footing，對比度曲線上，底部越明顯的光刻膠，其圖形中的footing現象就越明顯 ^[1]  。