基區

BJT是由兩個背靠背的pn結組成的，這兩個pn結中間的公共區域就是基區。基區寬度必須很小（小於基區中少數載流子的擴散長度），這才能形成一個有用的晶體管，否則放大性能太差（這也有利於提高頻率和速度）；同時，基區的摻雜濃度也必須小於發射區的摻雜濃度，否則同樣性能也很差（但是基區摻雜濃度也不能太低，否則要影響頻率、速度和噪聲等性能）。

一塊半導體基片上製作兩個相距很近的PN結，兩個PN結把整塊半導體分成三部分，兩側部分是發射區和集電區，中間部分是基區。

晶體管構造中，基區很薄且雜質濃度低。