-
國家存儲器基地
鎖定
國家存儲器基地項目開工
國家存儲器基地建設方
“國家存儲器基地”項目由紫光集團聯合國家集成電路產業基金、湖北省地方基金、湖北省科投共同投資建設。以芯片製造環節為突破口,集存儲器產品設計、技術研發、晶圓生產與測試、銷售於一體,建成後,還將帶動設計、封裝、製造、應用等芯片產業相關環節的發展。
[3]
國家存儲器基地項目內容
“國家存儲器基地”項目位於武漢東湖高新區武漢未來科技城,將建設3座全球單座潔淨面積最大的3D NAND Flash FAB廠房、一座總部研發大樓和其他若干配套建築,其核心生產廠房和設備每平方米的投資強度超過3萬美元。項目一期計劃2018年建成投產,2020年完成整個項目,總產能將達到30萬片/月,年產值將超過100億美元。
[3]
國家存儲器基地意義
芯片國產化是中國在信息安全自主可控政策的實踐領域之一,作為信息技術的基礎產業,半導體集成電路持續受到了國家政策的扶持。而存儲器是集成電路產業的基礎產品之一,產品的成熟度和產業的規模效應均較為顯著,國家存儲器基地的建立,標誌着芯片國產化之路邁出可靠而重要的一步。
[2]
- 參考資料
-
- 1. 武漢:大江大湖大保護 .人民日報[引用日期2018-07-12]
- 2. 點睛丨國家存儲器基地開工 芯片龍頭受益 .新浪網[引用日期2017-01-04]
- 3. 國家存儲器基地項目在湖北武漢開工,計劃2020年全面建成 .澎湃新聞[引用日期2017-01-03]