吳乾章

廣東澄邁人。

1933年畢業於中央大學物理系。

1936年中央研究院物理研究所研究生畢業。

1949年至1950年在英國曼徹斯特大學進修。

後任中國科學院物理研究所副研究員。

1958年帶頭開展人工晶體生長的多種方法研究，填補了我國人工晶體學的空白。

提出了單晶體X光勞厄背射歸咎總圖的繪製和定向方法，找出了克服人工水晶生長中“後期裂隙”的規律，研究了相圖和晶體生長的關係等。