受主能級

向純淨的半導體材料中摻入受主雜質會形成空穴和負電中心的束縛態，如圖1，當空穴（圖1中小圓圈）得到能量△E_A後，就從受主的束縛態躍遷到價帶E_V成為導電空穴，所需能量相當於空穴被受主雜質束縛的一個能量狀態，我們稱之為受主能級，即為E_A。

因為△E_A<g，所以受主能級位於離價帶頂很近的禁帶中。實際Ⅲ族受主雜質在硅、鍺晶體中的電離能很小。在硅中約為0.045~0.065eV[但銦（In）在硅中的電離能為0.16eV，是一個例外]，在鍺中約為0.01eV，比硅、鍺晶體的禁帶寬度小得多，具體見如下表格，單位為eV。 ^[1] 

實際上，空穴脱離束縛是電子的運動，是價帶（E_v）中的電子得到能量後，躍遷到受主能級上，再與束縛在受主能級上的空穴複合，並在價帶中產生了一個可以自由移動的導電空穴，同時也就形成了一個不可移動的受主離子。 ^[1]