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原生多晶硅

鎖定
原生多晶硅具有灰色金屬光澤。密度2.32-2.34。熔點1410℃。沸點2355℃。溶於氫氟酸和硝酸的混酸中,不溶於水、硝酸和鹽酸。硬度介於鍺和石英之間,室温下質脆,切割時易碎裂。加熱至800℃以上即有延性,1300℃時顯出明顯變形。
中文名
原生多晶硅
密    度
2.32-2.34
熔    點
1410 ℃
沸    點
2355 ℃

目錄

原生多晶硅化學性質

常温下不活潑,高温下與氧、氮、硫等反應。高温熔融狀態下,具有較大的化學活潑性,能與幾乎任何材料作用。

原生多晶硅應用

具有半導體性質,是極為重要的優良半導體材料,但微量的雜質即可大大影響其導電性。電子工業中廣泛用於製造半導體收音機、錄音機、電冰箱、彩電、錄像機、電子計算機等的基礎材料。由乾燥硅粉與乾燥氯化氫氣體在一定條件下反應(氯化),再經冷凝、精餾、還原而得。 多晶硅是單質硅的一種形態。多晶硅可作拉制單晶硅的原料,用於(是)半導體行業和太陽能。從目前來講,要使太陽能發電具有較大的市場,被廣大的消費者接受,就必須提高太陽電池的光電轉換效率,降低生產成本。
多晶硅技術指標:電阻率>100Ω·cm(N型),電阻率>1000Ω·cm(P型);少子壽命>25μs;C<1ppma.