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半絕緣砷化鎵單晶
鎖定
半絕緣砷化鎵單晶是室温下電阻率大於11106Ω·cm的砷化鎵單晶。
- 中文名稱
- 半絕緣砷化鎵單晶
- 英文名稱
- semi-insulating GaAs single crystal
- 定 義
- 室温下電阻率大於11106Ω·cm的砷化鎵單晶。
- 應用學科
- 材料科學技術（一級學科），半導體材料（二級學科），化合物半導體材料（三級學科）
以上內容由全國科學技術名詞審定委員會審定公佈
- 應用學科
- 材料科學技術（一級學科），半導體材料（二級學科），化合物半導體材料（三級學科）
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