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半導體光敏元件

鎖定
半導體光敏元件是基於半導體光電效應的光電轉換傳感器,又稱光電敏感器。採用光、電技術能實現無接觸、遠距離、快速和精確測量,常用來間接測量能轉換成光量的其他物理或化學量。半導體光敏元件有靈敏度、探測率、光照率、光照特性、伏安特性、光譜特性、時間和頻率響應特性以及温度特性等,它們主要由材料、結構和工藝決定。
中文名
半導體光敏元件
外文名
semiconduct-photo sensitive element
分    類
光導型和光生伏打型
應    用
光敏電阻、光敏二極管

目錄

半導體光敏元件基本名稱

中文名字:半導體光敏元件
英文名字:semiconduct-photo sensitive element概述

半導體光敏元件分類

半導體光敏元件按光電效應的不同而分為光導型和光生伏打型。光導型即光敏電阻,是一種半導體均質結構;光生伏打型包括光電二極管、光電三極管、光電池、光電場效應管和光控可控硅等,它們屬於半導體結構型器件。

半導體光敏元件應用

半導體光敏元件廣泛應用於精密測量、光通信、計算技術、攝像、夜視、遙感、制導、機器人、質量檢查、安全報警以及其他測量和控制裝置中, 例如:光敏電阻、光敏二極管。
光敏電阻 光敏電阻 [1]
光敏電阻是利用光照時半導體滿帶的電子飛越禁帶而改變導電率的原理製成的,其電阻值隨光照強度變化可達107倍。通過工藝控制和加濾光片校正能得到近似人的視感的響應曲線,因此它被廣泛用於攝像技術中。硫化鋁、銻化銦、鍺(摻金)等材料的光敏電阻適於紅外探測,可用於遙感技術。 光敏二極管是可見光和紅外光的重要探測器,當光照下光子能量超過禁帶能量時,在PN結及其附近激發產生電子空穴對,它們被結電場分離,分別向N區和P區移動,從而產生光生伏打電壓,利用這種效應就可以測量光照強度。
參考資料