動態存儲器

動態RAM的工作原理 和靜態RAM一樣，動態RAM也是由許多基本存儲元按照行和列來組成的。 3管動態RAM的基本存儲電路如圖1所示。在這個電路中，讀選擇線和寫選擇線是分開的，讀選擇線和寫選擇線也是分開的。

寫選擇線為"1"，所以Q1導通，要寫入的數據通過Q1送到Q2的柵極，並通過柵極電容在一定時間內保持信息。讓我們看一下動態效果。

先通過公用的預充電管Q4使讀數據線上的分佈電容CD充電，當讀選擇線為高電平有效時,Q3處於可導通的狀態。若原來存有"1",則Q2導通，讀數據線的分佈電容CD通過Q3、Q2放電,此時讀得的信息為"0"，正好和原存信息相反；若原存信息為"0",則Q3儘管具備導通條件，但因為Q2截止，所以，CD上的電壓保持不變，因而，讀得的信息為"1"。可見，對這樣的存儲電路，讀得的信息和原來存入的信息正好相反,所以要通過讀出放大器進行反相在送往 數據總線。

雙倍數據速率 2 存儲器 (DDR2) 一直以球形網格陣列 (BGA)封裝方式供應。他們具有 3 納秒，甚至 2.5納 秒的低循環次數 (Cycle time) ，因此可達到 800 兆赫 (MHz) 的數據速率。反過來，與最初的雙倍數據速率存儲器相比，他們具有較長的等待時間 (Latency) 。不過，雙倍數據速率 2 存儲器 (DDR2) 速度明顯快於 雙倍數據速率 1 存儲器。4/8 和 16 比特 (bit) 總線帶寬情況下，他們的存儲容量範圍從 256 兆比特 (Mbit) 直至 整整2 千兆比特 (Gbit)。

相關產品：

爾必達 (Elpida):

雙倍數據速率 2 存儲器 (DDR2) 256兆比特 – 1 千兆比特，x4 / x8 / x16 比特 (bit)，球形網格陣列 (BGA)

海力士 (Hynix)：

雙倍數據速率 2 存儲器 (DDR2) 256兆比特 – 1 千兆比特，x4 / x8 / x16 比特 (bit)，球形網格陣列 (BGA)

美光 (Micron) ：

雙倍數據速率 2 存儲器 (DDR2) 256兆比特 – 1 千兆比特，x4 / x8 / x16 比特 (bit)，球形網格陣列 (BGA)

奇夢達 (Qimonda) 前身為英飛凌 (Infineon)：

雙倍數據速率 2 存儲器 (DDR2) 256兆比特 – 1 千兆比特，x4 / x8 / x16 比特 (bit)，球形網格陣列 (BGA)

茂德科技 (Promos)：

雙倍數據速率 2 存儲器 (DDR2) 256兆比特 – 1 千兆比特，x4 / x8 / x16 比特 (bit)，球形網格陣列 (BGA)

三星 (Samsung) ：

雙倍數據速率 2 存儲器 (DDR2) 256兆比特 – 1 千兆比特，x4 / x8 / x16 比特 (bit)，球形網格陣列 (BGA)

第一代雙倍數據速率存儲器採用薄型小尺寸封裝 (TSOP) 或球形網格陣列 (BGA)封裝。雙倍數據速率1 存儲器 (DDR1) 提供最高 400 兆赫(MHz)的傳輸速率，存儲容量從 256 兆比特到 1 千兆比特。雙倍數據速率1 存儲器 (DDR1) 存儲器需 2.5V的電壓及4,8,16 或 32比特的總線帶寬。與雙倍數據速率 2 存儲器 (DDR2) 的最大區別： 雙倍數據速率1 存儲器 (DDR1) 存取和等待時間較短。

相關產品：

爾必達 (Elpida):

雙倍數據速率1 存儲器 (DDR1) 128 兆比特 - 512 兆比特，x4 / x8 / x16 / x32比特 (bit)，薄型小尺寸封裝 (TSOP) /球形網格陣列 (BGA)

森富 (Eorex)：

雙倍數據速率1 存儲器 (DDR1) 128 兆比特 - 512 兆比特， x16 比特 (bit)，薄型小尺寸封裝 (TSOP)

晶豪 (ESMT)：

雙倍數據速率1 存儲器 (DDR1) 128兆比特 - 256 兆比特，x16 / x32 比特 (bit)，薄型小尺寸封裝 (TSOP) / x32 比特 (bit), 球形網格陣列 (BGA)，工業級温度。

鈺創 (Etron)：

雙倍數據速率1 存儲器 (DDR1) 64 兆比特 - 256 兆比特，x16 / x32 比特 (bit)，薄型小尺寸封裝 (TSOP) / x32 比特 (bit), 球形網格陣列 (BGA)

海力士 (Hynix)：

雙倍數據速率1 存儲器 (DDR1) 128 兆比特 - 512 兆比特，x 8 / x16 / x32 比特 (bit)，薄型小尺寸封裝 (TSOP) /球形網格陣列 (BGA)

蕊成 (ISSI)：

雙倍數據速率1 存儲器 (DDR1) 128 兆比特 – 512 兆比特，x 8 / x16 / x32 比特 (bit)，薄型小尺寸封裝 (TSOP) / x32 比特 (bit), 球形網格陣列 (BGA)，工業級温度。

美光 (Micron) ：

雙倍數據速率1 存儲器 (DDR1) 128 兆比特 - 1 千兆比特，x4 / x8 / x16 / x32 比特 (bit)，薄型小尺寸封裝 (TSOP) /球形網格陣列 (BGA)，工業級温度。

茂德科技 (Promos)：

雙倍數據速率1 存儲器 (DDR1) 128 兆比特 - 512兆比特，薄型小尺寸封裝 (TSOP) /球形網格陣列 (BGA)， x8 / x16 / x32 比特 (bit)，工業級温度。

奇夢達 (Qimonda) 前身為英飛凌 (Infineon)：

雙倍數據速率1 存儲器 (DDR1) 128 兆比特 - 512 兆比特，x4 / x8 / x16 / x32 比特 (bit)，薄型小尺寸封裝 (TSOP) /球形網格陣列 (BGA)

三星 (Samsung) ：

雙倍數據速率1 存儲器 (DDR1) 128 兆比特 – 1 千兆比特，x4 / x8 / x16 / x32 比特 (bit)，薄型小尺寸封裝 (TSOP) /球形網格陣列 (BGA)

同步動態存儲器（簡稱為SDRAMs）以高達 200 MHz的時鐘頻率與總線頻率同步運行。它們的存儲容量從 16 兆比特到 512 兆比特 (16M – 512M bit)，在 4/8/16/32 比特 (bit) 總線帶寬下可用。典型工作電壓： 3.3伏。 封裝： BGA（球形網格陣列）或TSOP（薄型小尺寸封裝）。

相關產品：

A-Device:

同步動態存儲器 (SDRAM) 64 兆比特 – 128 兆比特，x16，薄型小尺寸封裝 (TSOP)

聯笙電子 (Amic)：

同步動態存儲器 (SDRAM) 16 兆比特 – 64 兆比特，x16，薄型小尺寸封裝 (TSOP)

爾必達 (Elpida):

同步動態存儲器 (SDRAM) 64 兆比特 - 512 兆比特，x8 / x16 / x32 比特 (bit)，薄型小尺寸封裝 (TSOP)

森富 (Eorex)：

同步動態存儲器 (SDRAM) 64 兆比特 - 256 兆比特，x16 / x32 比特 (bit)，薄型小尺寸封裝 (TSOP)

晶豪 (ESMT)：

同步動態存儲器 (SDRAM) 16 兆比特 – 128 兆比特，x16 / x32 比特 (bit)，薄型小尺寸封裝 (TSOP) /球形網格陣列 (BGA)，工業級温度。

鈺創 (Etron)：

同步動態存儲器 (SDRAM) 16 兆比特 – 128 兆比特，x16 / x32 比特 (bit)，薄型小尺寸封裝 (TSOP) /球形網格陣列 (BGA)，工業級温度。

海力士 (Hynix)：

同步動態存儲器 (SDRAM) 16 兆比特 – 256 兆比特，x4 / x 8 / x16 比特 (bit)，薄型小尺寸封裝 (TSOP)

蕊成 (ISSI)：

同步動態存儲器 (SDRAM) 16 兆比特 – 512 兆比特，x 8 / x16 / x32 比特 (bit)，薄型小尺寸封裝 (TSOP) /球形網格陣列 (BGA)，工業級温度。

美光 (Micron) ：

同步動態存儲器 (SDRAM) 64 兆比特 - 512兆比特，x4 / x8 / x16 / x32 比特 (bit)，薄型小尺寸封裝 (TSOP) /球形網格陣列 (BGA)，工業級温度。

茂德科技 (Promos)：

同步動態存儲器 (SDRAM) 128 兆比特 - 256兆比特，x8 / x16 比特 (bit), 薄型小尺寸封裝 (TSOP) /球形網格陣列 (BGA), 工業級温度。

奇夢達 (Qimonda) 前身為英飛凌 (Infineon):

同步動態存儲器 (SDRAM) 128 兆比特 – 256 兆比特，x4 / x8 / x16 比特 (bit)，薄型小尺寸封裝 (TSOP) /球形網格陣列 (BGA)

三星 (Samsung) ：

同步動態存儲器 (SDRAM) 64 兆比特 - 512兆比特，x4 / x8 / x16 / x32 比特 (bit)，薄型小尺寸封裝 (TSOP) ，工業級温度

移動雙倍數據速率 (Mobile DDR) 存儲器的存儲容量範圍從 64 兆比特到1 千兆比特。總線帶寬：1.8V 工作電壓下x16 / x32 比特 (bit)。應用領域： 所有移動設備，例如掃描儀，個人數碼助理 (PDA)、移動數碼助理 (MDA)、便攜式媒體播放器 (PMP) 、移動電視、數碼相機、 MP3 播放器...

相關產品：

Fidelix:

移動雙倍數據速率 (Mobile DDR)，即將上市！

海力士 (Hynix)：

移動雙倍數據速率 (Mobile DDR) 256兆比特 – 512兆比特，x16 / x32 比特 (bit)，球形網格陣列 (BGA)，1.8V，擴展級温度。

美光 (Micron)：

移動雙倍數據速率 (Mobile DDR) 256兆比特 – 512兆比特，x16 / x32 比特 (bit)，球形網格陣列 (BGA)，1.8V，擴展級温度。

三星 (Samsung)：

移動雙倍數據速率 (Mobile DDR) 256兆比特 – 512兆比特，x16 / x32 比特 (bit)，球形網格陣列 (BGA)，1.8V，擴展級温度。

奇夢達 (Qimonda) 前身為英飛凌 (Infineon)：

移動雙倍數據速率 (Mobile DDR) 256兆比特 – 512兆比特，x16 / x32 比特 (bit)，球形網格陣列 (BGA)，1.8V，擴展級温度。

存儲組件運行和待機電流非常低而容量卻很大，。移動同步動態存儲器 (Mobile SDRAM) 可與傳統的同步動態存儲器 (SDRAM) 兼容，非常適用於 移動通訊設備。工作電壓：3.3伏，2.5伏甚至低至與移動雙倍數據速率 (mobile DDR) 相同的1.8V同步動態存儲器使用較為節省空間的球形網格陣列 (BGA) 進行封裝，接觸區域 在其下面。

相關產品：

聯笙電子 (Amic)：

移動同步動態存儲器 (Mobile SDRAM) 16 兆比特 – 128 兆比特， x16 比特 (bit)，薄型小尺寸封裝 (TSOP) /球形網格陣列 (BGA),1.8V

森富 (Eorex)：

移動同步動態存儲器 (Mobile SDRAM) 128 兆比特 – 512 兆比特， x16 / x32 比特 (bit)，球形網格陣列 (BGA),3.3V/1.8V

Fidelix:

移動同步動態存儲器 (Mobile SDRAM) 32 兆比特 – 256 兆比特， x16 / x32 比特 (bit)，球形網格陣列 (BGA),3.3V/1.8V

海力士 (Hynix) :

移動同步動態存儲器 (Mobile SDRAM) 256 兆比特 – 512 兆比特， x16 / x32 比特 (bit)，球形網格陣列 (BGA),1.8V

美光 (Micron)：

移動同步動態存儲器 (Mobile SDRAM) 64兆比特 – 512 兆比特， x16 / x32 比特 (bit)，球形網格陣列 (BGA),1.8V

奇夢達 (Qimonda) 前身為英飛凌 (Infineon)：

移動同步動態存儲器 (Mobile SDRAM) 128 兆比特 – 512 兆比特，x16 / x32 比特 (bit)，球形網格陣列 (BGA),3.3V/2.5V/1.8V

三星 (Samsung)：

移動同步動態存儲器 (Mobile SDRAM) 64 兆比特 – 512 兆比特，x16 / x32 比特 (bit)，球形網格陣列 (BGA),3.3V/2.5V/1.8V

擴展數據輸出 (EDO) /快速頁面模式 (FPM)

擴展數據輸出動態存儲器/快速頁面模式動態存儲器 (EDO / FPM DRAM)

擴展數據輸出動態存儲器 (EDO) 和快速頁面模式動態存儲器 (FPM) 在價值上並沒有什麼不同，但這無關於技術。它們的存儲容量同樣都從1 兆比特到 64 兆比特 ，總線帶寬 x4 / x8 / x16 比特 (bit) 。我們可以提供 3.3V 和5V TSOP (薄型小型封裝) 和SOJ (小型J形引線) 封裝。異步動態存儲器不再大量生產，因此，價格較其它動態存儲器要高。

聯笙電子 (Amic)、晶豪 (ESMT)、蕊成 (ISSI)：

擴展數據輸出動態存儲器 4兆比特 – 16 兆比特，x16 比特 (bit)，小型外線式J形引線 (SOJ) /薄型小尺寸封裝 (TSOP)， 3.3V。

經驗證，動態存儲器是採用超大容量的存儲技術，但是，其存儲組件要求由處理器控制的刷新週期。它與靜態存儲器等其它存儲技術相比，耗電量相對較高。優點： 跟其它類型的存儲器相比，每兆比特的價格為最低。

所有類型的計算機系統、移動電話等移動裝置、數據記錄設備、打印機、控制系統等。