功率靜電感應晶體管

一種短溝道的功率場效應晶體管。簡稱 SIT。為區別起見， 一般不把它歸入功率場效應晶體管類。SIT通常採用 n溝道的結型場效應結構。圖1為這種SIT的符號，G、D、S分別代表柵極、漏極和源極。　SIT有平面型、埋溝型等幾種。圖2為平面型SIT的部分剖面結構。該器件源極的n型半導體被柵極的p型半導體所圍，漏極電流IDS必須通過這一窄小的溝道。在柵極與源極間加大負電壓VGS時,會使上述溝道變窄以至消失，結果便在原溝道位置形成了一個阻止電子通過的位壘。漏極電壓VDS對這一位壘也有影響，但作用遠不如柵極明顯。改變柵極的電壓，便可控制流過源極和漏極間的電流。圖3是該器件的輸出特性，反映了柵極的控制作用和一定柵極電壓下漏極電流與電壓的關係。從圖3中可以看到，為截止漏極電流，需要柵極電壓有足夠的負值，較高的漏極電壓需要有更大負值的柵極電壓；一旦SIT導通，漏極和源極間相當於一個小電阻。

SIT是介於雙極型功率晶體管(GTR)與功率場效應晶體管（功率MOSFET）之間的器件(性能方面更接近後者)，其開關頻率可在1MHz以上（可達100MHz），80年代中期其容量已有10A/800V，和功率MOSFET差不多，適用於數千瓦以下的電力電子裝置上。

雖然SIT的概念早在1950年就被提出，功率SIT器件直至 70年代末方出現。SIT的工作電流密度要大於功率MOSFET，且其製造工藝也比後者容易，因而是一種很有前途的器件，有希望發展成100A/1000V級的大容量高頻器件。

另外，若將圖2中的SIT漏極的n型高摻雜半導體換成p型半導體,則器件變成靜電感應晶閘管（又稱場控晶閘管），簡稱SITH。它的工作電流密度及容量遠比SIT高，可達門極可關斷晶閘管(GTO)的水平,其開關性能（尤其是開通速度）則優於GTO，是80年代出現的性能最優的大容量電力電子器件之一。