劉治國

1966年畢業於南京大學物理系，1980年起留學於聯邦德國哥廷根大學，師從著名材料物理學家P.哈森教授從事相變機制與相變動力學研究，1984年獲哥廷根大學理學博士學位，回南京大學固體微結構實驗室工作至今。1988年任教授，1993年任博士導師，現任國家“973”材料領域專家諮詢組成員，中國集成電路材料產業大聯盟專家委員會委員，Materials Letters雜誌副編委。曾任“九五”、“十五”國家高技術(863)新材料領域專家委員會委員、副主任, 國家自然科學基金委員會監督委員會委員、常委，中國物理學會固體缺陷專業委員會主任。 ^[1] 

鐵電薄膜及其異質結構;鐵電極化調控的鐵電薄膜穩態輸運;相變存儲器與材料;MOSFET用高介電柵介質材料 ^[1] 

(1)Memristive behaviors of LiNbO3 ferroelectric diodes

Haitao Li, Yidong Xia, Bo Xu, Hongxuan Guo, Jiang Yin, and Zhiguo Liu

Applied Physics Letters 97, 012902 (2010)

(2)Effects of hydrostatic pressure on the electrical properties of hexagonal Ge2Sb2Te5: Experimental and theoretical approaches

B. Xu, Y. Su, Z.G. Liu, C.H. Zhang, Y.D. Xia, J. Yin, Z. Xu, W.C. Ren, Y.H. Xiang

Applied Physics Letters 98, 142112 (2011)

(3)Remarkable Hydrogen Storage Capacity In Li-Decorated Graphyne: Theoretical Predication

Y.H. Guo, K. Jiang, B. Xu, Y.D. Xia, J. Yin, Z.G. Liu

Journal of Physical Chemistry C 116, 13837 (2012)

(4)Tuned dielectric, pyroelectric and piezoelectric properties of ferroelectric P(VDF-TrFE) thin films by using mechanical loads

G. Bai, R. Li, Z.G. Liu, Y.D. Xia, J. Yin

Journal of Applied Physics 111, 044102 (2012)

(5) Ferroelectric domain evolution with temperature in BaTiO3 film on (001) SrTiO3 substrate

Guoliang Yuan, Jiangpeng Chen, Hui Xia, Junming Liu, Jiang Yin, Zhiguo Liu

Applied Physics Letters 103, 062903 (2013)

(6) The chemically driven phase transformation in a memristive abacus capable of calculating decimal fractions

Hanni Xu, Yidong Xia, Kuibo Yin, Jianxin Lu, Qiaonan Yin, Jiang Yin, Litao Sun and Zhiguo Liu

Scientific Reports 3, 1230 (2013)

(7) Continuously-tuned tunneling behaviors of ferroelectric tunnel junctions based on BaTiO3/La0.67Sr0.33MnO3 heterostructure

Xin Ou , Bo Xu, Changjie Gong, Xuexin Lan, Qiaonan Yin, Yidong Xia, Jiang Yin and Zhiguo Liu,

AIP Advances 4, 057106 (2014) ^[1] 

(1) 劉治國，胡衞生，馮端，一種用電場誘導鈮酸鋰鐵電薄膜取向生長的方法與裝置，專利號：ZL 96 1 17210.X

(2) 李愛東，吳迪，凌惠琴，劉治國，閔乃本，一種採用低電場誘導控制濕化學法制備的薄膜取向的方法，專利號：ZL 00 1 12548. 6

(3) 劉治國，朱儁，應用於MOS場效應管的柵電介質材料鋁酸鋯薄膜及其製法，專利號： ZL 03 1 13461.0

(4) 朱儁，劉治國，高介電係數柵電介質材料鋁酸鉿薄膜及其製備方法， 專利號：ZL 03 1 31923.8

(5) 朱儁，劉治國，應用於MOS場效應管的柵電介質材料氮鋁酸鋯薄膜及其製法，專利號：ZL 03 1 13462.9

(6) 劉治國，朱儁，高介電係數柵電介質材料氮鋁酸鉿薄膜及其製備方法， 專利號：ZL 03 1 31920.3 ^[1] 

1，馮端等著：金屬物理學，其中第七篇作者:劉治國，題目：相變動力學，科學出版社，北京，1990

2，馮端, 師昌緒, 劉治國主編: 材料科學導論--融貫的論述, 化學工業出版社,北京, 2002, 劉治國參與主編並撰寫第11章, 合作撰寫第18章。

3，譯著：R. W. 卡恩、P. 哈森、E. J. 克雷默主編“材料科學與技術叢書”，第五卷;“材料的相變”，P. 哈森主編，劉治國等譯，科學出版社，北京，1998 ^[1] 

劉治國是南京大學材料系的創始人之一，曾任材料科學系副主任、代理系主任，在材料科學教育方面有重要貢獻，參與主編的“材料科學導論”獲2005年國家教學成果二等獎(劉排名第三)。 ^[1]