劉新宇

曾任中國科學院微電子研究所所長助理、微波器件與集成電路研究室（四室）主任，2011年5月-2020年7月任中國科學院微電子研究所副所長。 ^[1] 

擔任中國科學院微電子器件與集成技術重點實驗室副主任，電子學會青年工作委員會委員，是國家“核高基”重大專項“十二五”編寫組專家。

1991——1995年，安徽師範大學物理系　 學士

1995——1998年，航天部771所微電子專業　 碩士

1998——2000年，中國科學院微電子研究所微電子專業　 博士

2020年7月31日，中共中國科學院黨組經研究，決定：免去劉新宇同志微電子研究所副所長職務，保留副局級。 ^[1] 

主要研究領域為：III-V族化合物（GaAs、InP、GaN）半導體器件和電路工藝，微波MMIC設計和研製，以及微波功率模塊研究。

微波器件、模塊與集成電路

1998-2001年作為主要負責人蔘與國家九五攻關項目（亞微米CMOS/SOI器件與電路研究）和院重點創新項目（CMOS/SOI 64Kb靜態隨機存儲器研製），負責電路設計和工藝開發總體工作，“亞微米CMOS/SOI器件與電路研究”已通過國家驗收，並在國內首次研發出大規模CMOS/SOI 64Kb靜態隨機存儲器電路。

2000年，作為負責人之一參加院重點創新項目（8×10Gb/s DWDM光纖通信光電發射模塊研究），負責工藝開發工作。

2001年，主持國內首條4英寸GaAs生產線建設，成功開發4英寸GaAs HBT和HEMT工藝流程。

2002年，作為首席專家助理參加973項目“新一代化合物半導體電子器件與電路研究”，協助首席科學家錢鶴研究員開展項目整體協調，負責科研進度管理和財務稽查，同時負責重點子課題“AlGaN/GaN微波功率器件”。

2002年11月，作為首席科學家（錢鶴研究員）助理參加院重點創新項目，成功研製出國內領先的GaN基功率器件和InP基超高頻器件和電路，部分成果達到國際先進水平。

2006年，作為首席科學家負責重點創新項目“X波段寬禁帶半導體功率器件和材料研究”。

2008年，作為負責人之一負責自然基金重大項目“氮化鎵基毫米波器件和材料基礎與關鍵問題研究”。

2009年，作為首席科學家帶領團隊獲973項目“超高頻、大功率化合物半導體器件與集成技術基礎研究”滾動支持。 ^[2] 

他師從著名科學家吳德馨院士，主要從事抗輻照SOI CMOS電路和化合物半導體微波器件、電路及模塊的研究與開發。先後參加和主持國家級項目9項，科研經費達到1.3億元。2000年，在國內首次研發出大規模CMOS/SOI 64Kb靜態隨機存儲器電路和萬門級全耗盡門陣列電路。2002年，年僅29歲的他被破格提升為研究員。2004年，擔任“973”項目“新一代化合物半導體電子器件與電路研究”首席科學家。2006年，接任973項目首席科學家。2007年5月，作為首席科學家負責院重點創新項目。 ^[3]  2009年，作為首席科學家的“973”項目“超高頻、大功率化合物半導體器件與集成技術基礎研究”獲得科技部的滾動支持，獲得國防科技一等獎一項。他先後在國內外重要學術刊物上發表學術論文90餘篇，申請國家發明專利26項。他是微電子所重點培養的青年後備幹部。 ^[4]