刺激偽跡

偽跡幾乎與刺激信號同時出現，偽跡可以作為刺激的標誌，用來觀察潛伏期的長短。在觀察電刺激引起的誘發電位時，常看到刺激偽跡過大以致影響誘發電位的波形。刺激偽跡主要由於刺激電極與引導電極之間的電阻性與電容性成分的聯繫而形成。若刺激偽跡過大，則會影響動作電位的觀察，故較理想的偽跡應小而清晰，不影響動作電位的觀察。