刷新

DRAM是靠其內部電容電位來記錄其邏輯值的，但是電容因各方面的技術困難無可避免的有顯著的漏電現象（放電現象）而使電位下降，於是需要週期性地對高電位電容進行充電而保持其穩定，這就是刷新。動態MOS存儲器採用“讀出”方式進行刷新。