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分辨率增強技術

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分辨率增強及技術（Resolution Enhancement Technique, RET） [2]  實際上就是根據已有的掩膜版設計圖形，通過模擬計算確定最佳光照條件，以實現最大共同工藝窗口（Common Process Window），這部分工作一般是在新光刻工藝研發的早期進行 [1]  。
中文名
分辨率增強技術
外文名
Resolution Enhancement Technique
英文縮寫
RET
常見的分辨率增強技術主要包括離軸照明（OAI）,光學鄰近校正（OPC）,移相掩模（PSM）,次分辨率輔助圖（SRAF）等方法。大多數RET都對掩模的形狀和相位進行一定程度的改動,從而達到提高圖形轉移質量的目標。研究和使用結果表明,分辨率增強技術中的掩模補償技術最基本的是兩種形式：改變掩模圖形和改變掩模相位。兩種技術的目的都是為在己有的集成電路生產工藝設備基礎上製造出更小的特徵尺寸,且製造出的電路和設計的電路在功能上保持一致 [3]  。
尋找最佳光照條件的工作流程如圖1所示，
圖1 尋找最佳光照條件的工作流程 圖1 尋找最佳光照條件的工作流程
參考資料
  • 1.    韋亞一．超大規模集成電路先進光刻理論與應用．北京：科學出版社，2016：333-334
  • 2.    韋亞一．計算光刻與版圖優化：電子工業出版社，2021
  • 3.    馬玥. 納米級集成電路分辨率增強技術研究[D]. 浙江大學, 2006.19-20