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光衰
鎖定
- 中文名
- 光衰
- 外文名
- light wane
- 別 名
- S-W效應
- 全 稱
- 光致衰退效應
- 含 義
- 指它的光通量
- 影響因素
- 本身品質問題,使用條件問題
光衰光致衰退效應
光衰簡介
光衰起因
對S-W效應的起因,至今仍有不少爭議,造成衰退的微觀機制也尚無定論,成為迄今國內外非晶硅材料研究的熱門課題。總的看法認為,S-W效應起因於光照導致在帶隙中產生了新的懸掛鍵缺陷態(深能級),這種缺陷態會影響a-Si∶H薄膜材料的費米能級EF的位置,從而使電子的分佈情況發生變化,進而一方面引起光學性能的變化,另一方面對電子的複合過程產生影響。這些缺陷態成為電子和空穴的額外複合中心,使得電子的俘獲截面增大、壽命下降。
在a-Si∶H薄膜材料中,能夠穩定存在的是Si-H鍵和與晶體硅類似的Si-Si鍵,這些鍵的鍵能較大,不容易被打斷。由於a-Si∶H材料結構上的無序,使得一些Si-Si鍵的鍵長和鍵角發生變化而使Si-Si鍵處於應變狀態。高應變Si-Si鍵的化學勢與H相當,可以被外界能量打斷,形成Si-H鍵或重新組成更強的Si-Si鍵。如果斷裂的應變Si-Si鍵沒有重構,則a-Si∶H薄膜的懸掛鍵密度增加。為了更好地理解S-W效應產生的機理並控制a-Si∶H薄膜中的懸掛鍵,以期尋找穩定化處理方法和工藝,20多年來,國內外科學工作者進行了不懈的努力,提出了大量的物理模型,主要有弱鍵斷裂(SJT)模型、“H玻璃”模型、H碰撞模型、Si-H-Si橋鍵形成模型、“defect pool”模型等,但至今仍沒有形成統一的觀點。
光衰LED光衰
LED光衰是指LED經過一段時間的點亮後,其光強會比原來的光強要低,而低了的部分就是LED的光衰. 一般LED封裝廠家做測試是在實驗室的條件下(25℃的常温下),以20MA的直流電連續點亮LED1000小時來對比其點亮前後的光強.
光衰計算方法
N小時的光衰=1-(N小時的光通量/0小時的光通量)
LED光衰影響因素
針對LED的光衰主要有以下二大因素:
- LED產品本身品質問題
- 採用的LED芯片體質不好,亮度衰減較快。
- 生產工藝存在缺陷,LED芯片散熱不能良好的從PIN腳導出,導致LED芯片温度過高使芯片衰減加劇。
2. 使用條件問題
- LED為恆流驅動,有部分LED採用電壓驅動使LED衰減過快。
- 驅動電流大於額定驅動條件。
其實導致LED產品光衰的原因很多,最關鍵的還是熱的問題,儘管很多廠商在次級產品不特別注重散熱的問題,但這些次級LED產品長期使用下,光衰程度會比有注重散熱的LED產品要高。LED芯片本身的熱阻、銀膠的影響、基板的散熱效果,以及膠體和金線方面也都與光衰有關係。
普通白熾燈光衰影響因素