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光學掩模版
鎖定
- 中文名
- 光學掩模版
- 外文名
- Mask Reticle
- 別 名
- 光罩
- 簡 稱
- 掩膜版
- 應 用
- IC FPD等
- 製作方法
- 濺鍍法
光學掩模版簡介
光刻掩膜版（又稱光罩，英文為Mask Reticle），簡稱掩膜版，是微納加工技術常用的光刻工藝所使用的圖形母版。由不透明的遮光薄膜在透明基板上形成掩膜圖形結構，再通過曝光過程將圖形信息轉移到產品基片上。
待加工的掩膜版由玻璃/石英基片、鉻層和光刻膠層構成。其圖形結構可通過製版工藝加工獲得，常用加工設備為直寫式光刻設備，如激光直寫光刻機、電子束光刻機等。
掩膜版應用十分廣泛，在涉及光刻工藝的領域都需要使用掩膜版，如IC（Integrated Circuit，集成電路）、FPD（Flat Panel Display，平板顯示器）、PCB（Printed Circuit Boards，印刷電路板）、MEMS（Micro Electro Mechanical Systems，微機電系統）等。
光學掩模版種類
光學掩模版透明基板
2、透明樹脂
光學掩模版遮光膜
（1）硬質遮光膜：鉻膜氧化鐵硅化鉬硅。
（2）乳膠。
光學掩模版製作方法
濺鍍法（Sputtering）：
（1）上平行板：裝載濺鍍金屬的靶材；
下平行板：作為濺鍍對象的玻璃基板。
（2）將氬氣（Ar 2 ）通入反應艙中形成等離子體；
氬離子（Ar + ）在電場中被加速後衝撞靶材；
受衝擊的靶材原子會沉積在玻璃基板上從而形成薄膜。
光學掩模版工藝過程
1） 繪製生成設備可以識別的掩膜版版圖文件（GDS格式）
2） 使用無掩模光刻機讀取版圖文件，對帶膠的空白掩膜版進行非接觸式曝光（曝光波長405nm），照射掩膜版上所需圖形區域，使該區域的光刻膠（通常為正膠）發生光化學反應
3） 經過顯影、定影后，曝光區域的光刻膠溶解脱落，暴露出下面的鉻層
4） 使用鉻刻蝕液進行濕法刻蝕，將暴露出的鉻層刻蝕掉形成透光區域，而受光刻膠保護的鉻層不會被刻蝕，形成不透光區域。這樣便在掩膜版上形成透光率不同的平面圖形結構。
5） 在有必要的情況下，使用濕法或幹法方式去除掩膜版上的光刻膠層，並對掩膜版進行清洗。
