光二極管陣列檢測器

它是由硅片上形成的反相偏置的p-n結組成。反向偏置造成了一個耗盡層，使該結的傳導性幾乎降到了零。當輻射照到n區，就可形成空穴和電子。空穴通過耗盡層到達p區而湮滅，於是電導增加，增加的大小與輻射功率成正比。光二極管陣列檢測器每平方毫米含有15000個以上的光二極管。每個二極管都與其鄰近的二極管絕緣，它們都聯結到一個共同的n型層上。當光二極管陣列表面被電子束掃描時，每個p型柱就連接着被充電到電子束的電位，起一個充電電容器的作用。當光子打到n型表面以後形成空穴，空穴向p區移動並使沿入射輻射光路上的幾個電容器放電。然後當電子束再次掃到它們時，又使這些電容器充電。這一充電電流隨後被放大作為信號。光二極管陣列可以製成光學多道分析器。