位錯塞積

位錯運動遇到障礙，當使位錯向前運動的力和障礙物對位錯的作用力相等時，位錯就停止在障礙前面。同一個位錯源放出的其他位錯相繼被阻在障礙前排成一列，這種現象稱為位錯塞積，這一列位錯稱為位錯塞積羣。晶體中的界面、第二相粒子以及位錯反應所形成的不動位錯都可能成為位錯運動的障礙。在變形時，位錯源增殖的位錯可能在這些障礙前形成位錯塞積羣。

緊挨障礙物的那個位錯就被稱為領頭位錯或領先位錯，塞積的位錯數目越多，領頭位錯對障礙物的作用力就越大，達到一定程度時，就會引起鄰近晶粒的位錯源開動，進而發生塑性變形或萌生裂紋。 ^[1] 

在障礙物前位錯的塞積羣中可以含有多少個位錯呢？我們可作如下分析：當位錯產生塞積的時候，後面的位錯由於受到外力的作用，要推着前面的位錯繼續前進，而前面被障礙物阻擋的位錯對後面的位錯有一斥力，使後面的位錯停滯。整個的位錯塞積羣對位錯源有一反作用力，塞積羣的位錯數目越多，對位錯源的反作用力越大。當位錯塞積的數日達到一定值n時，它對位錯源的反作用力足以抗衡外力的作用，而使位錯源停止動作，中止發放位錯。由此可知，塞積羣中位錯數目n一定和外加切應力大小有關，和位錯大小b有關，也和位錯源到障礙物的距離L有關，根據計算

其中τ為外力在滑移方向上的分切應力；L為障礙物到位錯源的距離(近似看作位錯塞積羣長度)；k是係數，對螺位錯k=1。此n的表達式用不同方法推導，可以略有出入(常數可能有不同)，但n正比於τL的結論是一致的。 ^[2] 

塞積羣中位錯的分佈：在n個位錯形成的塞積羣中，它們按一定的規律分佈，其中每個位錯受到兩種力的作用，其一為外加應力場的作用，當外加應力場在滑移方向上的分切應力為τ時，則每個位錯所受到的外力作用為F=τb。其二受到塞積羣中其它位錯應力場的作用。當這兩種力達到平衡時，位錯處於某個平衡位置。這些位錯在障礙物前沿排列比較密集，隨距障礙物距離的增加，排列逐漸稀疏。 ^[2]