二氧化硅膜

一種無定形玻璃狀結構的電解質膜，為近程有序網狀結構。禁帶寬度8.1ev。密度2.2g/cm3。介電係數3.9。折射率1.45～1.47。電阻率1013～1015Ω·m。熔點1700℃。採用在硅片上熱氧化、陽極氧化、化學氣相沉積法制備，是半導體硅器件的優良的表面保護膜和表面鈍化膜。 ^[1]