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III-V族化合物
鎖定
III-V族化合物,是元素週期表中III族的B,Al,Ga,In和V族的N,P,As,Sb形成的化合物,主要包括砷化鎵(GaAs)、磷化銦(InP)和氮化鎵等。
- 中文名
- III-V族化合物
- 定 義
- 元素週期表中III族和V族的化合物
- 主要包括
- 砷化鎵(GaAs)、磷化銦(InP)
- 應 用
- 光電子器件,光電集成
- 表示式
- A(III)B(V)
簡介
III-V族化合物的表示式為A(III)B(V),如BN,BP,BAs,BSb,AlN,AlP,AlAs,AlSb,GaN,GaP,GaAs,GaSb,InAs,InN,InP和InSb。其中BN,AlN,GaN和InN是纖維鋅礦結構,其餘十二種為閃鋅礦結構。此類材料具有閃鋅礦結構(Zincblende)結構。鍵結方式以共價鍵為主。由於五價原子比三價原子具有更高的陰電性,因此有少許離子鍵成份。正因為如此,III-V族材料置於電場中,晶格容易被極化,離子位移有助於介電係數的增加,若電場頻率在紅外線範圍。GaAs材料的n型半導體中,電子移動率(mn~8500)遠大於Si的電子移動率(mn~1450),因此運動速度快,在高速數字集成電路上的應用,比Si半導體優越。但是,由於GaAs材料的集成電路製程極為複雜,成本也較昂貴,且成品的不良率高,單晶缺陷比Si多。因此GaAs要如同Si半導體普及應用,仍有待研發技術的努力。但另一方面,其優點是具備能夠發出激光等目前硅所沒有的特性。
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