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李智勇

(中科院半導體研究所副研究員、碩士生導師)

鎖定
李智勇,男,博士,副研究員,碩士生導師。2001年和2004年畢業於天津大學電子科學與技術專業,先後獲得學士和碩士學位。2007年畢業於中國科學院半導體研究所集成光電子學國家重點實驗室,獲博士學位並留所工作,2011年3月起,在中國科學院半導體研究所聘為副研究員 [1] 
中文名
李勇智
國    籍
中國
民    族
畢業院校
天津大學
學位/學歷
博士
專業方向
半導體研究
主要成就
參與了國家973、863、中國科學院知識創新工程、國家自然科學基金等10餘項課題
職    稱
研究員

李智勇人物履歷

2007年畢業於中國科學院半導體研究所集成光電子學國家重點實驗室,獲博士學位並留所工作,專注於硅基亞微米光波導器件的分析模型和製備方法研究。2007年10月,獲加拿大國家產業部科學研究基金資助,赴加拿大國立科學研究院微結構研究所做訪問學者,從事硅基光波導物理機理與光子器件應用方面的合作研究。2011年3月起,在中國科學院半導體研究所聘為副研究員 [1] 

李智勇研究領域

1、硅光子學
2、CMOS光子集成技術
3、光電子集成芯片在通訊、計算和信息處理等領域的應用
4、光電片上系統及其傳感裝置
5、光電子元器件物理 [1] 

李智勇主要貢獻

近年一直研究硅光子學和微納結構高速硅基光波導開關及應用技術,先後參與了國家973、863、中國科學院知識創新工程、國家自然科學基金等10餘項課題,發表學術論文40餘篇,獲得授權專利1項。在科研工作中,作為課題主要完成人全面實現國家973項目“寬帶光纖與無線信息網絡中的光子集成器件”和中國科學院知識創新工程重要方向項目“硅基片內光互連核心器件與CMOS製備工藝研究”的課題指標,先後研製出本徵響應時間0.2~1ns的硅基電光開關和編碼速率50~70Gbit/s的硅基光調製器,提出並驗證了新型電學結構,使得高速硅基電光器件的相位調諧效率提高3倍以上,器件工作電壓可小於1V,該類器件整體性能達到國際先進水平,有關結果被國際研究同行如IBM公司和法國巴黎大學等單位不斷引用,並與世界最先進的微電子製造技術平台之一長期合作,發展出完全兼容CMOS工業標準的光子集成技術,在國內率先實現了可應用於通信領域的硅基光子集成芯片,並應邀在SPIENewsroom作專文報道 [1] 
參考資料