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存儲單元
鎖定
存儲單元:多個存儲元的集合
存儲單元介紹
存儲單元:在存儲器中有大量的存儲元,把它們按相同的位劃分為組,組內所有的存儲元同時進行讀出或寫入操作,這樣的一組存儲元稱為一個存儲單元。一個存儲單元通常可以存放一個字節;存儲單元是CPU訪問存儲器的基本單位。
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存儲單元存儲單元
在計算機中最小的信息單位是bit,也就是一個二進制位,8個bit組成一個Byte,也就是字節。一個存儲單元可以存儲一個字節,也就是8個二進制位。計算機的存儲器容量是以字節為最小單位來計算的,對於一個有128個存儲單元的存儲器,可以説它的容量為128字節。如果有一個1KB的存儲器則它有1024個存儲單元,它的編號為從0-1023。存儲器被劃分成了若干個存儲單元,每個存儲單元都是從0開始順序編號,如一個存儲器有128個存儲單元,則它的編號就是從0-127。
存儲地址一般用十六進制數表示,而每一個存儲器地址中又存放着一組二進制(或十六進制)表示的數,通常稱為該地址的內容。值得注意的是,存儲單元的地址和地址中的內容兩者是不一樣的。前者是存儲單元的編號,表示存儲器中的一個位置,而後者表示這個位置裏存放的數據。正如一個是房間號碼,一個是房間裏住的人一樣。
存放一個機器字的存儲單元,通常稱為字存儲單元,相應的單元地址叫字地址。而存放一個字節的單元,稱為字節存儲單元,相應的地址稱為字節地址。如果計算機中可以編址的最小單元是字存儲單元,則該計算機稱為按字尋址的計算機。如果計算機中可編址的最小單位是字節,則該計算機稱為按字節尋址的計算機。如果機器字長等於存儲器單元的位數,一個機器字可以包含數個字節,所以一個存儲單元也可以包含數個能夠單獨編址的字節地址。例如一個16位二進制的字存儲單元可存放兩個字節,可以按字地址尋址,也可以按字節地址尋址。當用字節地址尋址時,16位的存儲單元佔兩個字節地址。
存儲單元最小靜態存儲單元
2008年8月18日,美國IBM公司、AMD以及紐約州立大學Albany分校的納米科學與工程學院(CNSE)等機構共同宣佈,世界上首個22納米節點有效靜態隨機存儲器(SRAM)研製成功。這也是全世界首次宣佈在300毫米研究設備環境下,製造出有效存儲單元。SRAM芯片是更復雜的設備,比如微處理器的“先驅”。SRAM單元的尺寸更是半導體產業中的關鍵技術指標。最新的SRAM單元利用傳統的六晶體管設計,僅佔0.1平方微米,打破了此前的SRAM尺度縮小障礙。
新的研究工作是在紐約州立大學Albany分校的納米科學與工程學院(CNSE)完成的,IBM及其他夥伴的許多頂尖的半導體研究都在這裏進行。IBM科技研發部副總裁T.C.Chen博士稱,“我們正在可能性的終極邊緣進行研究,朝着先進的下一代半導體技術前進。新的研究成果對於不斷驅動微電子設備小型化的追求,可以説至關重要。”
22納米是芯片製造的下兩代,而下一代是32納米。在這方面,IBM及合作伙伴正在發展它們無與倫比的32納米高K金屬柵極工藝(high-Kmetalgatetechnology)。
從傳統上而言,SRAM芯片通過縮小基本構建單元,來製造得更加緊密。IBM聯盟的研究人員優化了SRAM單元的設計和電路圖,從而提升了穩定性,此外,為了製造新型SRAM單元,他們還開發出幾種新的製作工藝流程。研究人員利用高NA浸沒式光刻(high-NAimmersionlithography)技術刻出了模式維度和密度,並且在先進的300毫米半導體研究環境中製作了相關部件。
與SRAM單元相關的關鍵技術包括:邊帶高K金屬柵極、<25納米柵極長度晶體管、超薄隔離結構(spacer)、共同摻雜、先進激活技術、極薄硅化物膜以及嵌入式銅觸點等。
據悉,在2008年12月15至17日美國舊金山將要舉行的IEEE國際電子設備(IEDM)年會上,還會有專門的報告來介紹最新成果的細節。